Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

BSC0923NDIATMA1

Teilbestand: 151164

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, 32A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSC0924NDIATMA1

Teilbestand: 152816

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, 32A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSO604NS2XUMA1

Teilbestand: 154962

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 30µA,

BSO207PHXUMA1

Teilbestand: 161068

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 44µA,

BSO211PHXUMA1

Teilbestand: 164134

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 67 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 25µA,

BSO615CGHUMA1

Teilbestand: 2523

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A, 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 20µA,

BSO612CVGHUMA1

Teilbestand: 171470

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 20µA,

BSZ15DC02KDHXTMA1

Teilbestand: 166896

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 110µA,

BSD840NH6327XTSA1

Teilbestand: 124088

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 880mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 880mA, 2.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 750mV @ 1.6µA,

BSC0925NDATMA1

Teilbestand: 145035

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSL308PEH6327XTSA1

Teilbestand: 149358

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 11µA,

BSL306NH6327XTSA1

Teilbestand: 118173

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 11µA,

BSL215CH6327XTSA1

Teilbestand: 146349

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 3.7µA,

BSL207NH6327XTSA1

Teilbestand: 152011

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 11µA,

BSL314PEH6327XTSA1

Teilbestand: 198370

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 6.3µA,

BSL205NH6327XTSA1

Teilbestand: 102698

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 11µA,

BSL806NH6327XTSA1

Teilbestand: 103295

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 750mV @ 11µA,

BSL214NH6327XTSA1

Teilbestand: 161005

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 3.7µA,

BSL316CH6327XTSA1

Teilbestand: 148518

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A, 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 3.7µA,

BSD235CH6327XTSA1

Teilbestand: 113505

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 950mA, 530mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1.6µA,

BSD340NH6327XTSA1

Teilbestand: 125807

BSD223PH6327XTSA1

Teilbestand: 154052

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 390mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1.5µA,

BUK9K18-40E,115

Teilbestand: 171171

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

BUK7K89-100EX

Teilbestand: 171159

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 82.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

BUK7K35-60EX

Teilbestand: 171150

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

BUK9K35-60E,115

Teilbestand: 173396

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

BUK9K25-40EX

Teilbestand: 189585

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

BUK7K134-100EX

Teilbestand: 189649

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 121 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

BUK9K52-60E,115

Teilbestand: 189585

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 1mA,

BUK7K52-60EX

Teilbestand: 189556

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

BUK7K25-40E,115

Teilbestand: 189622

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

BSS138PS,115

Teilbestand: 105738

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 300mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

BSS138BKSH

Teilbestand: 2543

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 320mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 250µA,

BSS8402DW-7-F

Teilbestand: 183344

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA, 130mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

BSS84DW-7-F

Teilbestand: 147379

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 130mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

VT6J1T2CR

Teilbestand: 168368

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 100µA,