Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

AOP607

Teilbestand: 3275

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AOP609

Teilbestand: 2816

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AOP605

Teilbestand: 2811

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4838

Teilbestand: 114715

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.6 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 250µA,

AO4882

Teilbestand: 110285

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4852

Teilbestand: 115960

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 250µA,

AO4886

Teilbestand: 2683

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

AON7611

Teilbestand: 168239

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 18.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AO4803A

Teilbestand: 134931

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AO4614B

Teilbestand: 146451

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4813

Teilbestand: 174721

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AO4800B

Teilbestand: 189998

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AO4805

Teilbestand: 180636

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

AO4630

Teilbestand: 137477

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.45V @ 250µA,

AO4612

Teilbestand: 189775

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4840

Teilbestand: 161636

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AON6924

Teilbestand: 90862

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AOD609

Teilbestand: 192201

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AOC2804

Teilbestand: 105804

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard,

AON7804

Teilbestand: 120975

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AAT7347IAS-T1

Teilbestand: 157898

AUIRFN8459TR

Teilbestand: 64112

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.9 mOhm @ 40A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 50µA,

AUIRFN8458TR

Teilbestand: 79588

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 25µA,

AUIRF7341QTR

Teilbestand: 89718

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7319QTR

Teilbestand: 89679

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7316QTR

Teilbestand: 89739

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7342QTR

Teilbestand: 91383

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7313QTR

Teilbestand: 94924

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7304QTR

Teilbestand: 101244

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AUIRF7379QTR

Teilbestand: 101249

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7103QTR

Teilbestand: 121994

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF9952QTR

Teilbestand: 125213

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

BSM180D12P3C007

Teilbestand: 168

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A (Tc), Vgs(th) (Max) @ ID: 5.6V @ 50mA,

BSM300D12P2E001

Teilbestand: 201

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300A (Tc), Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 68mA,

BSM080D12P2C008

Teilbestand: 263

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 13.2mA,

BSS8402DWQ-7

Teilbestand: 194681

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA, 130mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,