Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

IRF7313TRPBF

Teilbestand: 101851

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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IRF7301PBF

Teilbestand: 88872

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

Wunschzettel.

IRF7507PBF

Teilbestand: 2758

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A, 1.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA (Min),

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IRLHS6376TR2PBF

Teilbestand: 2814

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 10µA,

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IRLHS6276TRPBF

Teilbestand: 125842

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 10µA,

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IRF6156

Teilbestand: 3344

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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NTJD4401NT4G

Teilbestand: 2719

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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FDG6303N_D87Z

Teilbestand: 2711

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

NDS9957

Teilbestand: 3327

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 2.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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FDS6982S

Teilbestand: 2774

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.3A, 8.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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FDMS3600S

Teilbestand: 63274

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

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FW216A-TL-2W

Teilbestand: 153552

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 35V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 64 mOhm @ 4.5A, 10V,

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ECH8601M-TL-H

Teilbestand: 2899

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

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HUFA76413DK8T

Teilbestand: 2732

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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NTMD2C02R2G

Teilbestand: 2750

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A, 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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NVDD5894NLT4G

Teilbestand: 89660

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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NVMFD5853NWFT1G

Teilbestand: 90403

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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NTHD4401PT1

Teilbestand: 2644

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

Wunschzettel.

FDZ2553N

Teilbestand: 2739

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI7964DP-T1-GE3

Teilbestand: 2820

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 250µA,

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SIA778DJ-T1-GE3

Teilbestand: 103692

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SIF902EDZ-T1-E3

Teilbestand: 2784

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI5905BDC-T1-GE3

Teilbestand: 3293

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI7911DN-T1-E3

Teilbestand: 2776

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI8901EDB-T2-E1

Teilbestand: 2810

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 350µA,

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SI7948DP-T1-GE3

Teilbestand: 3297

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

SIA911DJ-T1-E3

Teilbestand: 2797

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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