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RFQs / Order.
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

SI6969DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6969DQ-T1-E3

Teilbestand: 2898

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

Wunschzettel.
SI4561DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4561DY-T1-GE3

Teilbestand: 2816

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.8A, 7.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI1917EDH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1917EDH-T1-E3

Teilbestand: 2713

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 370 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 100µA (Min),

Wunschzettel.
SI4830ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4830ADY-T1-E3

Teilbestand: 2782

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
SIZ910DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ910DT-T1-GE3

Teilbestand: 77131

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI4804BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4804BDY-T1-GE3

Teilbestand: 2795

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI5511DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5511DC-T1-E3

Teilbestand: 2730

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI9926BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9926BDY-T1-GE3

Teilbestand: 2824

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI5999EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5999EDU-T1-GE3

Teilbestand: 128567

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SIA911EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA911EDJ-T1-GE3

Teilbestand: 2796

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI7940DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-E3

Teilbestand: 2854

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI1972DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1972DH-T1-GE3

Teilbestand: 2790

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI4966DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-E3

Teilbestand: 85796

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI4910DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4910DY-T1-GE3

Teilbestand: 2838

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

Wunschzettel.
FDM3300NZ
ON Semiconductor

FDM3300NZ

Teilbestand: 2686

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
FDC6000NZ_F077
ON Semiconductor

FDC6000NZ_F077

Teilbestand: 2747

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
ECH8602M-TL-H
ON Semiconductor

ECH8602M-TL-H

Teilbestand: 2823

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wunschzettel.
EMH2409-TL-H
ON Semiconductor

EMH2409-TL-H

Teilbestand: 2859

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

Wunschzettel.
NTND31015NZTAG
ON Semiconductor

NTND31015NZTAG

Teilbestand: 120579

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
NDS9958
ON Semiconductor

NDS9958

Teilbestand: 2715

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
EMH2308-TL-H
ON Semiconductor

EMH2308-TL-H

Teilbestand: 186625

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wunschzettel.
GWM70-01P2
IXYS

GWM70-01P2

Teilbestand: 2692

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

Wunschzettel.
GWM100-01X1-SMD
IXYS

GWM100-01X1-SMD

Teilbestand: 2825

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
IPG20N06S3L-35
Infineon Technologies

IPG20N06S3L-35

Teilbestand: 2854

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 15µA,

Wunschzettel.
IRF7389
Infineon Technologies

IRF7389

Teilbestand: 2690

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF9910TR
Infineon Technologies

IRF9910TR

Teilbestand: 3299

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, 12A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.55V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF7343PBF
Infineon Technologies

IRF7343PBF

Teilbestand: 75494

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF9952QTRPBF
Infineon Technologies

IRF9952QTRPBF

Teilbestand: 2747

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF7309QTRPBF
Infineon Technologies

IRF7309QTRPBF

Teilbestand: 2755

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRFI4024H-117P
Infineon Technologies

IRFI4024H-117P

Teilbestand: 2824

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 25µA,

Wunschzettel.
TMC1420-LA
Trinamic Motion Control GmbH

TMC1420-LA

Teilbestand: 2918

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.8A, 7.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
DMC3018LSD-13
Diodes Incorporated

DMC3018LSD-13

Teilbestand: 2789

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.1A, 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

Wunschzettel.
TPC8207(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

Teilbestand: 2650

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 200µA,

Wunschzettel.
TPCF8402(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8402(TE85L,F,M

Teilbestand: 2735

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

Wunschzettel.
CSD75204W15
Texas Instruments

CSD75204W15

Teilbestand: 2796

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

Wunschzettel.
SP8M3TB
Rohm Semiconductor

SP8M3TB

Teilbestand: 2700

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.