Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

FDS6912

Teilbestand: 99723

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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FDM2509NZ

Teilbestand: 2731

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

NTUD3127CT5G

Teilbestand: 2739

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA, 140mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.

FDY2001PZ

Teilbestand: 2782

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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NTJD4401NT2G

Teilbestand: 2745

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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FDC6000NZ

Teilbestand: 2733

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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NTLJD4150PTBG

Teilbestand: 2781

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 135 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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FDG6322C_D87Z

Teilbestand: 2704

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA, 410mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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NTL4502NT1

Teilbestand: 2702

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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ECH8601M-C-TL-H

Teilbestand: 2940

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V,

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NTJD4152PT1

Teilbestand: 2693

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 880mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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NDS9936

Teilbestand: 2706

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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EFC6601R-A-TR

Teilbestand: 185411

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

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NDS9959

Teilbestand: 2628

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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IRF7325

Teilbestand: 2634

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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IRF7379PBF

Teilbestand: 2664

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.

IRF7754

Teilbestand: 2962

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

Wunschzettel.

IRF8513PBF

Teilbestand: 2834

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

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IRF7338TRPBF

Teilbestand: 2782

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.3A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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IRF7750TR

Teilbestand: 2689

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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IRF8313PBF

Teilbestand: 2835

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

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IRF7379QTRPBF

Teilbestand: 2818

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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IRF7101PBF

Teilbestand: 2712

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI4906DY-T1-GE3

Teilbestand: 2837

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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SI7842DP-T1-GE3

Teilbestand: 2811

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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SI7218DN-T1-GE3

Teilbestand: 99158

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SMMA511DJ-T1-GE3

Teilbestand: 2895

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI6924AEDQ-T1-GE3

Teilbestand: 2794

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 28V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI4952DY-T1-GE3

Teilbestand: 3339

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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SI3850ADV-T1-GE3

Teilbestand: 2805

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A, 960mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI4388DY-T1-E3

Teilbestand: 2702

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.7A, 11.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI6983DQ-T1-GE3

Teilbestand: 2899

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 400µA,

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