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RFQs / Order.
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Dioden - Brückengleichrichter

GSIB15A40-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A40-E3/45

Teilbestand: 70178

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBU4M-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4M-M3/51

Teilbestand: 91473

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
VS-36MB40A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-36MB40A

Teilbestand: 10232

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBPC1508W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1508W-E4/51

Teilbestand: 17589

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
VS-GBPC3508W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GBPC3508W

Teilbestand: 11070

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2mA @ 800V,

Wunschzettel.
VS-104MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-104MT160KPBF

Teilbestand: 811

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A,

Wunschzettel.
GBPC2506 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2506 T0G

Teilbestand: 161

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
UR8KB80 C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

UR8KB80 C2G

Teilbestand: 164

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
DBLS153G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS153G C1G

Teilbestand: 122

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

Wunschzettel.
TS50P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS50P05GHC2G

Teilbestand: 112

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBPC1510M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1510M T0G

Teilbestand: 142

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DBLS158GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS158GHC1G

Teilbestand: 162

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1200V,

Wunschzettel.
DBLS203GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS203GHC1G

Teilbestand: 102

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

Wunschzettel.
GBU806HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU806HD2G

Teilbestand: 124

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
TS20P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P01G D2G

Teilbestand: 161

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
KBPC3502W-G
Comchip Technology

KBPC3502W-G

Teilbestand: 40640

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
KBPC2504W-G
Comchip Technology

KBPC2504W-G

Teilbestand: 41101

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
MD250S16M5-BP
Micro Commercial Co

MD250S16M5-BP

Teilbestand: 1422

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1600V,

Wunschzettel.
SCBK2
Semtech Corporation

SCBK2

Teilbestand: 296

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 13A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 8µA @ 200V,

Wunschzettel.
SC3BK1F
Semtech Corporation

SC3BK1F

Teilbestand: 312

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 11A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 9A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 9µA @ 100V,

Wunschzettel.
SC3BA05
Semtech Corporation

SC3BA05

Teilbestand: 387

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 50V,

Wunschzettel.
VUO122-14NO7
IXYS

VUO122-14NO7

Teilbestand: 2875

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.4kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 117A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.13V @ 50A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1400V,

Wunschzettel.
VBO50-08NO7
IXYS

VBO50-08NO7

Teilbestand: 2047

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.14V @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 800V,

Wunschzettel.
VUC36-12GO2
IXYS

VUC36-12GO2

Teilbestand: 1927

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 34A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 55A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5mA @ 1200V,

Wunschzettel.
VUO25-08NO8
IXYS

VUO25-08NO8

Teilbestand: 7201

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 800V,

Wunschzettel.
VUO35-18NO7
IXYS

VUO35-18NO7

Teilbestand: 2195

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 38A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 40µA @ 1800V,

Wunschzettel.
VUO105-18NO7
IXYS

VUO105-18NO7

Teilbestand: 1148

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 140A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.09V @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1800V,

Wunschzettel.
VBO40-12NO6
IXYS

VBO40-12NO6

Teilbestand: 3935

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 40µA @ 1200V,

Wunschzettel.
VBO25-16NO2
IXYS

VBO25-16NO2

Teilbestand: 3284

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 38A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.36V @ 55A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

Wunschzettel.
VBO105-16NO7
IXYS

VBO105-16NO7

Teilbestand: 1260

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 107A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

Wunschzettel.
VUO160-12NO7
IXYS

VUO160-12NO7

Teilbestand: 1347

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 175A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 1200V,

Wunschzettel.
DFBR030U3LP-13
Diodes Incorporated

DFBR030U3LP-13

Teilbestand: 128574

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 30V,

Wunschzettel.
DB103G
GeneSiC Semiconductor

DB103G

Teilbestand: 109338

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
M50100SB1600
Sensata-Crydom

M50100SB1600

Teilbestand: 708

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100A,

Wunschzettel.
DF06S1
ON Semiconductor

DF06S1

Teilbestand: 195263

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
CD-HD201L
Bourns Inc.

CD-HD201L

Teilbestand: 148645

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 100V,

Wunschzettel.