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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Brückengleichrichter

DBL152GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL152GHC1G

Teilbestand: 96

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBPC2506W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2506W T0G

Teilbestand: 96

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBU603HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU603HD2G

Teilbestand: 150

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
GBPC4008 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4008 T0G

Teilbestand: 95

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation

RMB6SHRCG

Teilbestand: 115

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
DBLS158G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS158G C1G

Teilbestand: 132

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1200V,

Wunschzettel.
DBL101G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL101G C1G

Teilbestand: 135

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 50V,

Wunschzettel.
DBLS208G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS208G RDG

Teilbestand: 136

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1200V,

Wunschzettel.
TS20P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P06G D2G

Teilbestand: 70

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBU402 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU402 D2G

Teilbestand: 115

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
HDBLS102G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBLS102G RDG

Teilbestand: 126

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
DBLS155G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS155G RDG

Teilbestand: 158

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

Wunschzettel.
HDBLS101G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBLS101G RDG

Teilbestand: 109

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
RDBLS207G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

RDBLS207G C1G

Teilbestand: 123

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBPC3501W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3501W T0G

Teilbestand: 128

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
TS35P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS35P07GHC2G

Teilbestand: 125

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
TS6P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P05G C2G

Teilbestand: 114

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
HDBL104G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBL104G C1G

Teilbestand: 129

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
DBLS151GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS151GHC1G

Teilbestand: 119

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBPC3502W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3502W T0G

Teilbestand: 175

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
DBL105G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL105G C1G

Teilbestand: 87

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

Wunschzettel.
KBPC5008W-G
Comchip Technology

KBPC5008W-G

Teilbestand: 31974

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBU406-G
Comchip Technology

GBU406-G

Teilbestand: 81025

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBU802-G
Comchip Technology

GBU802-G

Teilbestand: 72163

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
KBPC1008-G
Comchip Technology

KBPC1008-G

Teilbestand: 40969

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC1506-G
Comchip Technology

GBPC1506-G

Teilbestand: 32632

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
DF08ST-G
Comchip Technology

DF08ST-G

Teilbestand: 145498

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
DF208S-G
Comchip Technology

DF208S-G

Teilbestand: 163753

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBLA04-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA04-E3/51

Teilbestand: 145860

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
VS-2KBP01
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBP01

Teilbestand: 73208

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A,

Wunschzettel.
GBLA02-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA02-E3/51

Teilbestand: 145828

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Avalanche, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
GSIB6A60N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A60N-M3/45

Teilbestand: 72917

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GSIB15A80N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A80N-M3/45

Teilbestand: 60071

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
KMB25STR
SMC Diode Solutions

KMB25STR

Teilbestand: 95

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 50V,

Wunschzettel.
MD160S16M3-BP
Micro Commercial Co

MD160S16M3-BP

Teilbestand: 1439

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 160A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1600V,

Wunschzettel.
GBU6J
ON Semiconductor

GBU6J

Teilbestand: 61030

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.