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RFQs / Order.
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Dioden - Brückengleichrichter

KMB210STR
SMC Diode Solutions

KMB210STR

Teilbestand: 114

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 100V,

Wunschzettel.
DBLS202G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS202G C1G

Teilbestand: 111

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

Wunschzettel.
DBLS103G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS103G RDG

Teilbestand: 124

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

Wunschzettel.
TS20P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P07G C2G

Teilbestand: 76

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
SBS26 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS26 REG

Teilbestand: 86

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 60V,

Wunschzettel.
DBLS156G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS156G RDG

Teilbestand: 119

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

Wunschzettel.
DBL157GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL157GHC1G

Teilbestand: 134

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DBLS209GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS209GHC1G

Teilbestand: 121

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.4kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1400V,

Wunschzettel.
GBU1002 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1002 D2G

Teilbestand: 94

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
TS35P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS35P07G D2G

Teilbestand: 157

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DBL208GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL208GHC1G

Teilbestand: 101

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1200V,

Wunschzettel.
GBU402HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU402HD2G

Teilbestand: 126

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
D2SB10HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB10HD2G

Teilbestand: 91

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
DBLS159G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS159G C1G

Teilbestand: 129

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.4kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1400V,

Wunschzettel.
GBPC35005 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC35005 T0G

Teilbestand: 120

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
RDBLS207GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

RDBLS207GHRDG

Teilbestand: 166

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBU1001HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1001HD2G

Teilbestand: 106

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBL203HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL203HD2G

Teilbestand: 119

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
TS35P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS35P05GHD2G

Teilbestand: 88

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
DBL156GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL156GHC1G

Teilbestand: 152

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

Wunschzettel.
KBPC5006W-G
Comchip Technology

KBPC5006W-G

Teilbestand: 32499

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBU1504-G
Comchip Technology

GBU1504-G

Teilbestand: 52570

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
Z4DGP410L-HF
Comchip Technology

Z4DGP410L-HF

Teilbestand: 134138

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DF202S-G
Comchip Technology

DF202S-G

Teilbestand: 163685

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
Z4GP208-HF
Comchip Technology

Z4GP208-HF

Teilbestand: 189437

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC25005W-G
Comchip Technology

GBPC25005W-G

Teilbestand: 35799

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBJ2501-04-G
Comchip Technology

GBJ2501-04-G

Teilbestand: 144

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBLA08-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA08-E3/51

Teilbestand: 145864

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBLA10-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA10-E3/45

Teilbestand: 156324

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GSIB2540N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2540N-M3/45

Teilbestand: 46429

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
M5060SB1200
Sensata-Crydom

M5060SB1200

Teilbestand: 1384

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 50A,

Wunschzettel.
CBR2-L010M
Central Semiconductor Corp

CBR2-L010M

Teilbestand: 135685

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
RABF1510-13
Diodes Incorporated

RABF1510-13

Teilbestand: 133

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBJ2502-F
Diodes Incorporated

GBJ2502-F

Teilbestand: 37594

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
VUO110-12NO7
IXYS

VUO110-12NO7

Teilbestand: 1412

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 127A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.13V @ 50A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

Wunschzettel.
GHXS010A060S-D1E
Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D1E

Teilbestand: 2062

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 600V,

Wunschzettel.