Transistoren - IGBTs - Module | Diskrete Halbleiterprodukte | 16

APTGT75TA60PG

Teilbestand: 546

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

Teilbestand: 5307

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

Teilbestand: 531

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

Teilbestand: 541

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

Teilbestand: 521

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

Teilbestand: 490

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

Teilbestand: 478

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

Teilbestand: 540

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 130A, Leistung max: 465W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

Teilbestand: 464

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Leistung max: 520W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

Teilbestand: 555

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

Teilbestand: 545

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Leistung max: 520W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

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APTGT75DA120D1G

Teilbestand: 548

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

Teilbestand: 526

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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APTGT580U60D4G

Teilbestand: 526

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 760A, Leistung max: 1600W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

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Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

Teilbestand: 482

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 310W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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APTGT50SK170D1G

Teilbestand: 514

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 310W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

Teilbestand: 476

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

Teilbestand: 541

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

Teilbestand: 552

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

Teilbestand: 528

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

Teilbestand: 3071

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

Teilbestand: 518

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 310W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

Teilbestand: 496

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

Teilbestand: 535

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 310W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

Teilbestand: 520

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

Teilbestand: 494

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

Teilbestand: 483

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 277W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

Teilbestand: 517

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 550A, Leistung max: 1750W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

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Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

Teilbestand: 472

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

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Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

Teilbestand: 507

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 580A, Leistung max: 2100W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

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Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

Teilbestand: 463

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 580A, Leistung max: 2100W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

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Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

Teilbestand: 527

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 55A, Leistung max: 205W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

Teilbestand: 522

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 55A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

Teilbestand: 463

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 55A, Leistung max: 205W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

Teilbestand: 481

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 55A, Leistung max: 205W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

Teilbestand: 507

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Leistung max: 210W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

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