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Transistoren - IGBTs - Module

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APTGF75H120TG
Microsemi Corporation

APTGF75H120TG

Teilbestand: 694

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

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APTGF75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DH120TG

Teilbestand: 460

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

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APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DSK120TG

Teilbestand: 487

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

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APTGF75DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF75DA60D1G

Teilbestand: 494

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 355W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A,

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APTGF75DDA120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DDA120TG

Teilbestand: 505

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

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APTGF660U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF660U60D4G

Teilbestand: 488

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 860A, Leistung max: 2800W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 800A,

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APTGF75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF75DA120T1G

Teilbestand: 480

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

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APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50X60T3G

Teilbestand: 504

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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APTGF530U120D4G
Microsemi Corporation

APTGF530U120D4G

Teilbestand: 478

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700A, Leistung max: 3900W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 600A,

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APTGF50TDU120PG
Microsemi Corporation

APTGF50TDU120PG

Teilbestand: 3072

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Triple, Dual - Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGF50TA120PG
Microsemi Corporation

APTGF50TA120PG

Teilbestand: 469

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGF50SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50SK120T1G

Teilbestand: 439

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGF50SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF50SK120TG

Teilbestand: 484

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGF50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T3G

Teilbestand: 1481

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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APTGF50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DU120TG

Teilbestand: 3098

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGF50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGF50DH60TG

Teilbestand: 430

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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APTGF50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK60T3G

Teilbestand: 463

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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APTGF50DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA60T3G

Teilbestand: 3088

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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APTGF50DH120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DH120TG

Teilbestand: 496

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGF50DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DA120TG

Teilbestand: 424

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGF50DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DA120T1G

Teilbestand: 439

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGF50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50A60T1G

Teilbestand: 518

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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APTGF50A120TG
Microsemi Corporation

APTGF50A120TG

Teilbestand: 3078

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGF500U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF500U60D4G

Teilbestand: 520

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 625A, Leistung max: 2000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 500A,

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APTGF50A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50A120T1G

Teilbestand: 439

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGF400U120D4G
Microsemi Corporation

APTGF400U120D4G

Teilbestand: 3075

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 510A, Leistung max: 2500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A,

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APTGF360U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF360U60D4G

Teilbestand: 479

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 450A, Leistung max: 1560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 360A,

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APTGF350DU60G
Microsemi Corporation

APTGF350DU60G

Teilbestand: 449

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1562W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

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APTGF350SK60G
Microsemi Corporation

APTGF350SK60G

Teilbestand: 437

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1562W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

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APTGF350A60G
Microsemi Corporation

APTGF350A60G

Teilbestand: 508

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1562W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

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APTGF350DA60G
Microsemi Corporation

APTGF350DA60G

Teilbestand: 424

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1562W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

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APTGF330SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330SK60D3G

Teilbestand: 514

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 460A, Leistung max: 1400W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

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APTGF30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30X60T3G

Teilbestand: 504

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

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APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330A60D3G

Teilbestand: 444

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 520A, Leistung max: 1560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A,

Wunschzettel
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T1G

Teilbestand: 469

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

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APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T3G

Teilbestand: 491

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

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