Transistoren - IGBTs - Module | Diskrete Halbleiterprodukte | 16

APTGLQ200H120G

Teilbestand: 505

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 350A, Leistung max: 1000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGT600DA60G

Teilbestand: 718

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700A, Leistung max: 2300W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DA60T1G

Teilbestand: 2807

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGL475U120D4G

Teilbestand: 692

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 610A, Leistung max: 2082W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

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Microsemi Corporation

APTGLQ75H65T1G

Teilbestand: 1579

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT100DU120TG

Teilbestand: 1313

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DU120TG

Teilbestand: 1568

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 277W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT300A170D3G

Teilbestand: 469

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 530A, Leistung max: 1470W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

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Microsemi Corporation

APTGT150SK170G

Teilbestand: 920

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 250A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGT300SK170G

Teilbestand: 631

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1660W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

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Microsemi Corporation

APTGT400A120D3G

Teilbestand: 443

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 580A, Leistung max: 2100W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

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Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G

Teilbestand: 1919

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT100TL170G

Teilbestand: 530

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

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APTGTQ200A65T3G

Teilbestand: 255

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 483W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGTQ100H65T3G

Teilbestand: 237

Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT75X60T3G

Teilbestand: 1419

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT150A120G

Teilbestand: 851

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGT50H60T1G

Teilbestand: 2031

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT225DA170G

Teilbestand: 770

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 340A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

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Microsemi Corporation

APTGT100A60T1G

Teilbestand: 2167

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT225DU170G

Teilbestand: 515

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 340A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

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Microsemi Corporation

APTGT200SK60T3AG

Teilbestand: 1579

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 290A, Leistung max: 750W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGT200DH120G

Teilbestand: 709

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 280A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGL90DDA120T3G

Teilbestand: 1593

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G

Teilbestand: 244

Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 125W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G

Teilbestand: 292

Aufbau: Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 483W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGT450A60G

Teilbestand: 612

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 550A, Leistung max: 1750W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

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Microsemi Corporation

APTGT50H170TG

Teilbestand: 818

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50H120T3G

Teilbestand: 1389

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DH120T3G

Teilbestand: 1513

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APT40GL120JU3

Teilbestand: 3651

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 220W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

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Microsemi Corporation

APTGT200DA120G

Teilbestand: 955

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 280A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGLQ30H65T3G

Teilbestand: 281

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 95W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTGT75H120TG

Teilbestand: 963

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T1G

Teilbestand: 271

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 165W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGT75TA120PG

Teilbestand: 672

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 350W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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