Transistoren - IGBTs - Module | Diskrete Halbleiterprodukte | 16

APTGL90DH120T3G

Teilbestand: 541

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

Teilbestand: 556

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

Teilbestand: 534

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

Teilbestand: 607

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

Teilbestand: 579

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

Teilbestand: 542

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 130A, Leistung max: 780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

Teilbestand: 560

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 230A, Leistung max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

Teilbestand: 5334

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

Teilbestand: 574

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT70GR120J

Teilbestand: 2416

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 112A, Leistung max: 543W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

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Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

Teilbestand: 2286

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 84A, Leistung max: 417W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT200GN60J

Teilbestand: 2197

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 283A, Leistung max: 682W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

Teilbestand: 578

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

Teilbestand: 3071

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

Teilbestand: 594

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

Teilbestand: 580

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 210A, Leistung max: 1041W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

Teilbestand: 540

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 135A, Leistung max: 568W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

Teilbestand: 546

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

Teilbestand: 581

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

Teilbestand: 600

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 210A, Leistung max: 961W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

Teilbestand: 546

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

Teilbestand: 585

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

Teilbestand: 3077

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

Teilbestand: 609

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter - IGBT, FET, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

Teilbestand: 524

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter - IGBT, FET, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

Teilbestand: 1322

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 215A, Leistung max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

Teilbestand: 530

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

Teilbestand: 491

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

Teilbestand: 539

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

Teilbestand: 546

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

Teilbestand: 476

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

Teilbestand: 466

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

Teilbestand: 528

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 156W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

Teilbestand: 540

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 156W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

Teilbestand: 546

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

Teilbestand: 487

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Leistung max: 115W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

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