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Transistoren - IGBTs - Module

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APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170T1G

Teilbestand: 539

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Leistung max: 210W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

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APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H60T3G

Teilbestand: 462

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DDA60T3G

Teilbestand: 494

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170T1G

Teilbestand: 474

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Leistung max: 210W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

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APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A60T1G

Teilbestand: 506

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170D1G

Teilbestand: 525

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Leistung max: 210W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

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APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170D3G

Teilbestand: 547

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 530A, Leistung max: 1470W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

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APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170D1G

Teilbestand: 458

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Leistung max: 210W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

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APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA120D3G

Teilbestand: 482

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 440A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

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APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120D3G

Teilbestand: 515

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 440A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

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APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25H120T1G

Teilbestand: 449

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 156W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25SK120D1G

Teilbestand: 3101

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25DA120D1G

Teilbestand: 503

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120T1G

Teilbestand: 542

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 156W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20X60T3G

Teilbestand: 455

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 32A, Leistung max: 62W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

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APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120D1G

Teilbestand: 495

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DSK60T3G

Teilbestand: 520

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 32A, Leistung max: 62W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

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APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T3G

Teilbestand: 543

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 32A, Leistung max: 62W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

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APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20A60T1G

Teilbestand: 446

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 32A, Leistung max: 62W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

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APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK170D3G

Teilbestand: 509

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

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APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60TG

Teilbestand: 478

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 290A, Leistung max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

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APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120D3G

Teilbestand: 528

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 1050W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

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APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT200DA60TG

Teilbestand: 520

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 290A, Leistung max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

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APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200DA170D3G

Teilbestand: 465

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

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APTGT200A60TG
Microsemi Corporation

APTGT200A60TG

Teilbestand: 491

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 290A, Leistung max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

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APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170D1G

Teilbestand: 479

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 280A, Leistung max: 780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK60TG

Teilbestand: 527

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

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APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK120TG

Teilbestand: 460

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK120D1G

Teilbestand: 445

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 700W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DU60TG

Teilbestand: 491

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

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APTGT150DU170G
Microsemi Corporation

APTGT150DU170G

Teilbestand: 520

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 250A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA60TG

Teilbestand: 521

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

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APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170D1G

Teilbestand: 476

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 280A, Leistung max: 780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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APTGT150DA170G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170G

Teilbestand: 517

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 250A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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APTGT150DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA120D1G

Teilbestand: 471

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 700W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA120TG

Teilbestand: 482

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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