Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - IGBTs - Module

  • Zuhause
  •  
  • Transistoren - IGBTs - Module
APTGF100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

Teilbestand: 453

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 135A, Leistung max: 568W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Wunschzettel
APTGF150A120TG
Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

Teilbestand: 3069

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 961W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Wunschzettel
APTGF100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

Teilbestand: 453

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 135A, Leistung max: 568W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Wunschzettel
APTGF100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

Teilbestand: 411

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 130A, Leistung max: 735W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Wunschzettel
APTGF100A120TG
Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

Teilbestand: 435

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 135A, Leistung max: 568W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Wunschzettel
APT60GF60JU3
Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

Teilbestand: 455

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 93A, Leistung max: 378W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Wunschzettel
APT60GF60JU2
Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

Teilbestand: 418

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 93A, Leistung max: 378W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Wunschzettel
APT50GT120JU3
Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

Teilbestand: 3465

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 347W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel
APT50GT120JU2
Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

Teilbestand: 3433

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 347W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel
APT50GF60JU3
Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

Teilbestand: 448

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 277W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel
APT30GF60JU3
Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

Teilbestand: 465

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 58A, Leistung max: 192W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Wunschzettel
APT30GF60JU2
Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

Teilbestand: 416

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 58A, Leistung max: 192W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Wunschzettel
APT100GF60JU3
Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

Teilbestand: 481

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Wunschzettel
APT75GN120J
Microsemi Corporation

APT75GN120J

Teilbestand: 420

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 124A, Leistung max: 379W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel
APT75GN120JDQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

Teilbestand: 401

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 124A, Leistung max: 379W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel
APT60GT60JR
Microsemi Corporation

APT60GT60JR

Teilbestand: 445

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 93A, Leistung max: 378W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Wunschzettel
APT50GP60J
Microsemi Corporation

APT50GP60J

Teilbestand: 2419

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 329W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel
APT50GT120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

Teilbestand: 393

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 72A, Leistung max: 379W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel
APT40GP60JDQ2
Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

Teilbestand: 2536

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 86A, Leistung max: 284W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Wunschzettel
APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

Teilbestand: 469

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 77A, Leistung max: 347W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

Wunschzettel
APT200GN60JG
Microsemi Corporation

APT200GN60JG

Teilbestand: 406

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 283A, Leistung max: 682W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Wunschzettel
APT75GP120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

Teilbestand: 1653

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 128A, Leistung max: 543W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel
APTGV50H60BT3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

Teilbestand: 1360

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel
APT40GP90JDQ2
Microsemi Corporation

APT40GP90JDQ2

Teilbestand: 2143

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 64A, Leistung max: 284W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Wunschzettel
APT40GP90J
Microsemi Corporation

APT40GP90J

Teilbestand: 2176

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 68A, Leistung max: 284W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Wunschzettel
APT50GP60JDQ2
Microsemi Corporation

APT50GP60JDQ2

Teilbestand: 2312

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 329W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel
APT30GP60JDQ1
Microsemi Corporation

APT30GP60JDQ1

Teilbestand: 2849

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 67A, Leistung max: 245W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A,

Wunschzettel
APTGF50DA120CT1G
Microsemi Corporation

APTGF50DA120CT1G

Teilbestand: 351

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel
APTGF90DA60CT1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60CT1G

Teilbestand: 336

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Wunschzettel
APTGT75DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DH60T1G

Teilbestand: 3031

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation

APTGT50A1202G

Teilbestand: 3035

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 277W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel
APTGF100A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3WG

Teilbestand: 285

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 130A, Leistung max: 657W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Wunschzettel
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK170D1G

Teilbestand: 351

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Leistung max: 520W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Wunschzettel
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK60T1G

Teilbestand: 371

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK120D1G

Teilbestand: 316

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation

APTGT75A120TG

Teilbestand: 363

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 350W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel