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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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2N1717S
Microsemi Corporation

2N1717S

Teilbestand: 121

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2N6249T1
Microsemi Corporation

2N6249T1

Teilbestand: 91

Wunschzettel
2N6300
Microsemi Corporation

2N6300

Teilbestand: 151

Wunschzettel
2N6286
Microsemi Corporation

2N6286

Teilbestand: 122

Wunschzettel
2N6277
Microsemi Corporation

2N6277

Teilbestand: 147

Wunschzettel
2N2102S
Microsemi Corporation

2N2102S

Teilbestand: 122

Wunschzettel
2N4449
Microsemi Corporation

2N4449

Teilbestand: 4940

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

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2N2814
Microsemi Corporation

2N2814

Teilbestand: 152

Wunschzettel
2N5428
Microsemi Corporation

2N5428

Teilbestand: 114

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2N3635L
Microsemi Corporation

2N3635L

Teilbestand: 5555

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 140V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

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2N697
Microsemi Corporation

2N697

Teilbestand: 137

Wunschzettel
2N5416UA
Microsemi Corporation

2N5416UA

Teilbestand: 161

Wunschzettel
2N697S
Microsemi Corporation

2N697S

Teilbestand: 168

Wunschzettel
2N5241
Microsemi Corporation

2N5241

Teilbestand: 140

Wunschzettel
2N2895
Microsemi Corporation

2N2895

Teilbestand: 77

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2N5151L
Microsemi Corporation

2N5151L

Teilbestand: 124

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2N5238S
Microsemi Corporation

2N5238S

Teilbestand: 115

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2N3725UB
Microsemi Corporation

2N3725UB

Teilbestand: 3202

Wunschzettel
2N5785
Microsemi Corporation

2N5785

Teilbestand: 87

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2N5664
Microsemi Corporation

2N5664

Teilbestand: 93

Wunschzettel
2N3507U4
Microsemi Corporation

2N3507U4

Teilbestand: 120

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2N6352
Microsemi Corporation

2N6352

Teilbestand: 110

Wunschzettel
2N5683
Microsemi Corporation

2N5683

Teilbestand: 78

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2N5582
Microsemi Corporation

2N5582

Teilbestand: 5051

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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2N6648
Microsemi Corporation

2N6648

Teilbestand: 130

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2N6353
Microsemi Corporation

2N6353

Teilbestand: 172

Wunschzettel
2N3743
Microsemi Corporation

2N3743

Teilbestand: 101

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2N6278
Microsemi Corporation

2N6278

Teilbestand: 154

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2N1479
Microsemi Corporation

2N1479

Teilbestand: 141

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2N4910
Microsemi Corporation

2N4910

Teilbestand: 174

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2N5238
Microsemi Corporation

2N5238

Teilbestand: 140

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2N2896
Microsemi Corporation

2N2896

Teilbestand: 140

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 90V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 150mA, 10V,

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2N5954
Microsemi Corporation

2N5954

Teilbestand: 162

Wunschzettel
2N4233A
Microsemi Corporation

2N4233A

Teilbestand: 101

Wunschzettel
2N6233
Microsemi Corporation

2N6233

Teilbestand: 85

Wunschzettel
2N4900
Microsemi Corporation

2N4900

Teilbestand: 122

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