Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2N3724L

Teilbestand: 4097

2N3725L

Teilbestand: 4086

2N1711S

Teilbestand: 82

2N6650

Teilbestand: 155

2N5782

Teilbestand: 143

2N2221AUB

Teilbestand: 7557

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N6235

Teilbestand: 140

2N930

Teilbestand: 9687

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V,

2N5956

Teilbestand: 167

2N6301

Teilbestand: 146

2N3507AL

Teilbestand: 131

2N6678

Teilbestand: 161

2N1016B

Teilbestand: 98

2N2946AUB

Teilbestand: 4164

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV,

2N5661

Teilbestand: 172

2N6338

Teilbestand: 77

2N6193

Teilbestand: 2105

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V,

2N5886

Teilbestand: 106

2N6212

Teilbestand: 132

2N3469

Teilbestand: 106

2N3501L

Teilbestand: 5154

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N6377

Teilbestand: 154

2N3506A

Teilbestand: 125

2N5237

Teilbestand: 100

2N5093

Teilbestand: 165

2N4911

Teilbestand: 120

2N3637

Teilbestand: 102

2N3735

Teilbestand: 5163

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V,

2N6298

Teilbestand: 94

2N5052

Teilbestand: 92

2N3506L

Teilbestand: 105

2N2432

Teilbestand: 1019

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V,

2N3419S

Teilbestand: 97

2N6275

Teilbestand: 89

2N5883

Teilbestand: 170

2N6059

Teilbestand: 84