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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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2N3506AL
Microsemi Corporation

2N3506AL

Teilbestand: 83

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2N329A
Microsemi Corporation

2N329A

Teilbestand: 203

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2N328A
Microsemi Corporation

2N328A

Teilbestand: 194

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2N3500
Microsemi Corporation

2N3500

Teilbestand: 3941

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

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2N720A
Microsemi Corporation

2N720A

Teilbestand: 873

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

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2N3019
Microsemi Corporation

2N3019

Teilbestand: 34750

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V,

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2N6677
Microsemi Corporation

2N6677

Teilbestand: 7232

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2N6330
Microsemi Corporation

2N6330

Teilbestand: 7262

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2N6329
Microsemi Corporation

2N6329

Teilbestand: 7273

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2N2811
Microsemi Corporation

2N2811

Teilbestand: 7210

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2N2813
Microsemi Corporation

2N2813

Teilbestand: 5711

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2N6672
Microsemi Corporation

2N6672

Teilbestand: 7269

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2N6276
Microsemi Corporation

2N6276

Teilbestand: 7217

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2N706A
Microsemi Corporation

2N706A

Teilbestand: 7244

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2N706
Microsemi Corporation

2N706

Teilbestand: 7227

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2N6229
Microsemi Corporation

2N6229

Teilbestand: 7193

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2N3700UB
Microsemi Corporation

2N3700UB

Teilbestand: 4108

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V,

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2N2605UB
Microsemi Corporation

2N2605UB

Teilbestand: 7222

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2N335ALT2
Microsemi Corporation

2N335ALT2

Teilbestand: 7158

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2N333LT2
Microsemi Corporation

2N333LT2

Teilbestand: 7176

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2N333ALT2
Microsemi Corporation

2N333ALT2

Teilbestand: 7132

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2N336AT2
Microsemi Corporation

2N336AT2

Teilbestand: 7138

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2N335AT2
Microsemi Corporation

2N335AT2

Teilbestand: 7141

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2N335LT2
Microsemi Corporation

2N335LT2

Teilbestand: 7098

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2N336LT2
Microsemi Corporation

2N336LT2

Teilbestand: 7174

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2N335T2
Microsemi Corporation

2N335T2

Teilbestand: 6713

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2N336ALT2
Microsemi Corporation

2N336ALT2

Teilbestand: 7121

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2N333AT2
Microsemi Corporation

2N333AT2

Teilbestand: 7154

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2N333T2
Microsemi Corporation

2N333T2

Teilbestand: 7179

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2N336T2
Microsemi Corporation

2N336T2

Teilbestand: 7138

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2N4913
Microsemi Corporation

2N4913

Teilbestand: 7107

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2N1702
Microsemi Corporation

2N1702

Teilbestand: 7180

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2N3507AU4
Microsemi Corporation

2N3507AU4

Teilbestand: 1325

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V,

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2N6339
Microsemi Corporation

2N6339

Teilbestand: 7169

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2N2907AUB
Microsemi Corporation

2N2907AUB

Teilbestand: 3939

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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2N5097
Microsemi Corporation

2N5097

Teilbestand: 7077

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V,

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