Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2N5666

Teilbestand: 102

2N2945A

Teilbestand: 121

2N2906AUA

Teilbestand: 2646

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N5665

Teilbestand: 83

2N1484

Teilbestand: 132

2N3418

Teilbestand: 148

2N656

Teilbestand: 106

2N3418S

Teilbestand: 88

2N5000

Teilbestand: 118

2N5874

Teilbestand: 173

2N3634

Teilbestand: 125

2N3998

Teilbestand: 112

2N3486

Teilbestand: 6969

2N3764

Teilbestand: 151

2N6251T1

Teilbestand: 150

2N6383

Teilbestand: 168

2N5240

Teilbestand: 172

2N5840

Teilbestand: 136

2N6281

Teilbestand: 121

2N3439UA

Teilbestand: 1702

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

2N5348

Teilbestand: 140

2N4240

Teilbestand: 118

2N3440U4

Teilbestand: 87

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

2N6250

Teilbestand: 127

2N5429

Teilbestand: 127

2N6058

Teilbestand: 128

2N2880

Teilbestand: 114

2N4029

Teilbestand: 7654

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

2N6296

Teilbestand: 77

2N5337

Teilbestand: 123

2N1724A

Teilbestand: 133

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 15V,

2N2432UB

Teilbestand: 164

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V,

2N1893S

Teilbestand: 2679

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N6546

Teilbestand: 130

2N5336

Teilbestand: 88

2N6350

Teilbestand: 129