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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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2N6284
Microsemi Corporation

2N6284

Teilbestand: 141

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2N5092
Microsemi Corporation

2N5092

Teilbestand: 142

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2N6674
Microsemi Corporation

2N6674

Teilbestand: 114

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2N5877
Microsemi Corporation

2N5877

Teilbestand: 121

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2N5005
Microsemi Corporation

2N5005

Teilbestand: 115

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2N5339
Microsemi Corporation

2N5339

Teilbestand: 171

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2N4033UA
Microsemi Corporation

2N4033UA

Teilbestand: 3698

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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2N3868S
Microsemi Corporation

2N3868S

Teilbestand: 152

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2N3468L
Microsemi Corporation

2N3468L

Teilbestand: 147

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2N3507L
Microsemi Corporation

2N3507L

Teilbestand: 105

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2N5868
Microsemi Corporation

2N5868

Teilbestand: 169

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2N1717
Microsemi Corporation

2N1717

Teilbestand: 159

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2N4233
Microsemi Corporation

2N4233

Teilbestand: 117

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2N6191
Microsemi Corporation

2N6191

Teilbestand: 172

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2N5879
Microsemi Corporation

2N5879

Teilbestand: 136

Wunschzettel
2N5784
Microsemi Corporation

2N5784

Teilbestand: 166

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2N1016D
Microsemi Corporation

2N1016D

Teilbestand: 105

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2N2906AUB
Microsemi Corporation

2N2906AUB

Teilbestand: 8190

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

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2N5660
Microsemi Corporation

2N5660

Teilbestand: 123

Wunschzettel
2N5039
Microsemi Corporation

2N5039

Teilbestand: 143

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2N5662
Microsemi Corporation

2N5662

Teilbestand: 131

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2N6315
Microsemi Corporation

2N6315

Teilbestand: 96

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2N6279
Microsemi Corporation

2N6279

Teilbestand: 175

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2N4903
Microsemi Corporation

2N4903

Teilbestand: 174

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2N3440L
Microsemi Corporation

2N3440L

Teilbestand: 4241

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

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2N5152L
Microsemi Corporation

2N5152L

Teilbestand: 105

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2N5347
Microsemi Corporation

2N5347

Teilbestand: 109

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2N5302
Microsemi Corporation

2N5302

Teilbestand: 104

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2N930A
Microsemi Corporation

2N930A

Teilbestand: 8885

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2N5151
Microsemi Corporation

2N5151

Teilbestand: 107

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2N5872
Microsemi Corporation

2N5872

Teilbestand: 132

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2N3637UB
Microsemi Corporation

2N3637UB

Teilbestand: 4041

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 175V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

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2N3057A
Microsemi Corporation

2N3057A

Teilbestand: 7604

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V,

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2N5384
Microsemi Corporation

2N5384

Teilbestand: 120

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2N5681
Microsemi Corporation

2N5681

Teilbestand: 103

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2N5781
Microsemi Corporation

2N5781

Teilbestand: 155

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