Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

15GN03FA-TL-H

Teilbestand: 122361

15GN03MA-TL-E

Teilbestand: 127656

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, Dazugewinnen: 13dB @ 0.4GHz, Leistung max: 400mW,

15GN03CA-TB-E

Teilbestand: 120477

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, Dazugewinnen: 13dB @ 0.4GHz, Leistung max: 200mW,

15GN01MA-TL-E

Teilbestand: 176347

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Leistung max: 400mW,

15GN01CA-TB-E

Teilbestand: 194654

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Leistung max: 200mW,

2SC5536A-TL-H

Teilbestand: 129846

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 1.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 100mW,

2SC5646A-TL-H

Teilbestand: 145975

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz ~ 12.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Leistung max: 100mW,

2SC5490A-TL-H

Teilbestand: 102087

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Leistung max: 100mW,

2SC5227A-4-TB-E

Teilbestand: 149544

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

2SC5347AE-TD-E

Teilbestand: 107074

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 1.3W,

2SC5226A-4-TL-E

Teilbestand: 104161

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 150mW,

2SC5245A-4-TL-E

Teilbestand: 165918

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 150mW,

2SC5227A-5-TB-E

Teilbestand: 181168

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

2SC5226A-5-TL-E

Teilbestand: 106559

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 150mW,

2SC5488A-TL-H

Teilbestand: 176378

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 100mW,

2SC5415AE-TD-E

Teilbestand: 128956

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 800mW,

2SC5415AF-TD-E

Teilbestand: 166564

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 800mW,

2SC5374A-TL-E

Teilbestand: 7229

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 5.2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10.5dB @ 1GHz, Leistung max: 100mW,

2SC5277A-2-TL-E

Teilbestand: 7254

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Leistung max: 100mW,

2SC4853A-4-TL-E

Teilbestand: 132077

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 10.5dB @ 1GHz, Leistung max: 90mW,

2SC5231A-9-TL-E

Teilbestand: 7206

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 8.5dB @ 1GHz, Leistung max: 100mW,

2SC5501A-4-TR-E

Teilbestand: 7253

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 500mW,

2SC5231A-8-TL-E

Teilbestand: 7167

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 100mW,

2N3663

Teilbestand: 7116

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2.1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 1.5dB, Leistung max: 350mW,

2N5770_D27Z

Teilbestand: 7173

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

2N5770_D26Z

Teilbestand: 7159

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

2N5770_D75Z

Teilbestand: 4804

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

2SC5551AE-TD-E

Teilbestand: 155037

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Leistung max: 1.3W,

2SC5347AF-TD-E

Teilbestand: 129091

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 1.3W,

2SC5551AF-TD-E

Teilbestand: 7057

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Leistung max: 1.3W,

2N5770_D74Z

Teilbestand: 7054

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

55GN01FA-TL-H

Teilbestand: 173585

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz ~ 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz, Leistung max: 250mW,

55GN01MA-TL-E

Teilbestand: 157404

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz ~ 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB @ 1GHz, Leistung max: 400mW,

55GN01CA-TB-E

Teilbestand: 107852

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 200mW,

BF240_J35Z

Teilbestand: 7146

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 350mW,

BF199_J35Z

Teilbestand: 7184

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 350mW,