Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

MPSH81

Teilbestand: 27862

KSC1674YTA

Teilbestand: 7106

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

KSC2786YBU

Teilbestand: 7096

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 18dB ~ 22dB, Leistung max: 250mW,

NSVF2250WT1

Teilbestand: 7068

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V,

KSC1393OTA

Teilbestand: 7105

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 24dB, Leistung max: 250mW,

MMBTH10LT1

Teilbestand: 7082

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 225mW,

MMBTH81

Teilbestand: 150632

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 225mW,

MCH4020-TL-E

Teilbestand: 7044

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 16GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 400mW,

KSC1674CYBU

Teilbestand: 7152

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

MPSH17_D27Z

Teilbestand: 7065

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 350mW,

MMBTH10-4LT1G

Teilbestand: 110623

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Leistung max: 225mW,

KSC2757OMTF

Teilbestand: 7058

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 150mW,

SS9018FBU

Teilbestand: 172176

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 400mW,

MPS5179G

Teilbestand: 7090

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Leistung max: 200mW,

MPS5179_D27Z

Teilbestand: 7096

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

MMBTH10LT3G

Teilbestand: 135150

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 225mW,

MPSH10RLRAG

Teilbestand: 7099

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

MMBTH34

Teilbestand: 7159

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz, Leistung max: 225mW,

KSC2757RMTF

Teilbestand: 4752

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 150mW,

KSC2757YMTF

Teilbestand: 1623

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 150mW,

KSC1674CYTA

Teilbestand: 7157

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

KSC1730OTA

Teilbestand: 7054

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 250mW,

MPSH11

Teilbestand: 7117

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

MMBT5179

Teilbestand: 121720

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 225mW,

MPS5179_D26Z

Teilbestand: 7035

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

MPSH10RLRA

Teilbestand: 7086

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

KSC1674RBU

Teilbestand: 7100

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

KSC1393OBU

Teilbestand: 7116

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 24dB, Leistung max: 250mW,

KSC2786RTA

Teilbestand: 7097

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 18dB ~ 22dB, Leistung max: 250mW,

KSC2786RBU

Teilbestand: 7111

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 18dB ~ 22dB, Leistung max: 250mW,

KSC2755OMTF

Teilbestand: 7147

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 23dB, Leistung max: 150mW,

MPS3563G

Teilbestand: 7167

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 14dB @ 200MHz, Leistung max: 350W,

MCH4009-TL-H

Teilbestand: 124863

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 120mW,

MMBTH10

Teilbestand: 185639

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 225mW,

MMBT5770

Teilbestand: 4755

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 225mW,

KSC1393RBU

Teilbestand: 7141

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 24dB, Leistung max: 250mW,