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RFQs / Order.
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Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BF199_D74Z
ON Semiconductor

BF199_D74Z

Teilbestand: 7211

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
BF959ZL1G
ON Semiconductor

BF959ZL1G

Teilbestand: 7187

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Leistung max: 625mW,

Wunschzettel
BF959RL1G
ON Semiconductor

BF959RL1G

Teilbestand: 4758

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Leistung max: 625mW,

Wunschzettel
BF959G
ON Semiconductor

BF959G

Teilbestand: 7162

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Leistung max: 625mW,

Wunschzettel
BF240_ND74Z
ON Semiconductor

BF240_ND74Z

Teilbestand: 7149

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
BF240_D74Z
ON Semiconductor

BF240_D74Z

Teilbestand: 7161

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
BF494_D74Z
ON Semiconductor

BF494_D74Z

Teilbestand: 7121

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
BF494_D27Z
ON Semiconductor

BF494_D27Z

Teilbestand: 7161

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
BF494
ON Semiconductor

BF494

Teilbestand: 7140

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
BF199
ON Semiconductor

BF199

Teilbestand: 7115

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
BF240
ON Semiconductor

BF240

Teilbestand: 7123

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
BF959RL1
ON Semiconductor

BF959RL1

Teilbestand: 5498

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Leistung max: 625mW,

Wunschzettel
BF959
ON Semiconductor

BF959

Teilbestand: 4730

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Leistung max: 625mW,

Wunschzettel
BF959ZL1
ON Semiconductor

BF959ZL1

Teilbestand: 7111

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Leistung max: 625mW,

Wunschzettel
MPS5179RLRAG
ON Semiconductor

MPS5179RLRAG

Teilbestand: 7170

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Leistung max: 200W,

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MPSH11_D27Z
ON Semiconductor

MPSH11_D27Z

Teilbestand: 7147

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

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MPSH81_D27Z
ON Semiconductor

MPSH81_D27Z

Teilbestand: 7176

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 350mW,

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MCH3007-TL-H
ON Semiconductor

MCH3007-TL-H

Teilbestand: 191780

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 350mW,

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MPSH17_D75Z
ON Semiconductor

MPSH17_D75Z

Teilbestand: 7207

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 350mW,

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NSVF4009SG4T1G
ON Semiconductor

NSVF4009SG4T1G

Teilbestand: 158529

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 120mW,

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MCH4021-TL-E
ON Semiconductor

MCH4021-TL-E

Teilbestand: 132141

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 16GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 400mW,

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MCH4015-TL-H
ON Semiconductor

MCH4015-TL-H

Teilbestand: 155772

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 450mW,

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MSC2295-CT1G
ON Semiconductor

MSC2295-CT1G

Teilbestand: 7147

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Leistung max: 200mW,

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NSVF6003SB6T1G
ON Semiconductor

NSVF6003SB6T1G

Teilbestand: 9977

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 800mW,

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MPSH81_D75Z
ON Semiconductor

MPSH81_D75Z

Teilbestand: 7155

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 350mW,

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MMBTH81_F080
ON Semiconductor

MMBTH81_F080

Teilbestand: 4820

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 225mW,

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NSVF2250WT1G
ON Semiconductor

NSVF2250WT1G

Teilbestand: 7147

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V,

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MCH4017-TL-H
ON Semiconductor

MCH4017-TL-H

Teilbestand: 129611

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 450mW,

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MPS5179RLRPG
ON Semiconductor

MPS5179RLRPG

Teilbestand: 7205

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Leistung max: 200W,

Wunschzettel
NSVF4020SG4T1G
ON Semiconductor

NSVF4020SG4T1G

Teilbestand: 9943

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 16GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 400mW,

Wunschzettel
MPS5179_D75Z
ON Semiconductor

MPS5179_D75Z

Teilbestand: 7228

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

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MPSH10_D74Z
ON Semiconductor

MPSH10_D74Z

Teilbestand: 7235

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

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PN3563_D26Z
ON Semiconductor

PN3563_D26Z

Teilbestand: 7150

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Dazugewinnen: 14dB ~ 26dB, Leistung max: 350mW,

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MPSH10_D75Z
ON Semiconductor

MPSH10_D75Z

Teilbestand: 4800

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
MPSH81_D26Z
ON Semiconductor

MPSH81_D26Z

Teilbestand: 5514

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
MPSH10RLRPG
ON Semiconductor

MPSH10RLRPG

Teilbestand: 7152

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

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