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Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MCH4020-TL-H
ON Semiconductor

MCH4020-TL-H

Teilbestand: 162279

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 16GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17.5dB @ 1GHz, Leistung max: 400mW,

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SS9018HBU
ON Semiconductor

SS9018HBU

Teilbestand: 177980

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 400mW,

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MSC2295-CT1
ON Semiconductor

MSC2295-CT1

Teilbestand: 4721

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Leistung max: 200mW,

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EC3H02BA-TL-H
ON Semiconductor

EC3H02BA-TL-H

Teilbestand: 7201

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 100mW,

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KSP10BU
ON Semiconductor

KSP10BU

Teilbestand: 180971

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
SS9018GBU
ON Semiconductor

SS9018GBU

Teilbestand: 126389

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 400mW,

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MPSH10_D26Z
ON Semiconductor

MPSH10_D26Z

Teilbestand: 7211

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

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MPSH10G
ON Semiconductor

MPSH10G

Teilbestand: 7117

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

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MMBT918LT1
ON Semiconductor

MMBT918LT1

Teilbestand: 7154

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 225mW,

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MPSH17
ON Semiconductor

MPSH17

Teilbestand: 7158

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 350mW,

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KSC1393YBU
ON Semiconductor

KSC1393YBU

Teilbestand: 7169

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 24dB, Leistung max: 250mW,

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KSC1730YTA
ON Semiconductor

KSC1730YTA

Teilbestand: 7131

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 250mW,

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MPSH17G
ON Semiconductor

MPSH17G

Teilbestand: 4801

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 350mW,

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KSC2786OBU
ON Semiconductor

KSC2786OBU

Teilbestand: 7180

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 18dB ~ 22dB, Leistung max: 250mW,

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MMBT918LT1G
ON Semiconductor

MMBT918LT1G

Teilbestand: 165175

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 225mW,

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KSC1674OTA
ON Semiconductor

KSC1674OTA

Teilbestand: 7165

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

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MPS3563
ON Semiconductor

MPS3563

Teilbestand: 7049

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 14dB @ 200MHz, Leistung max: 350W,

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KSC1730YBU
ON Semiconductor

KSC1730YBU

Teilbestand: 7128

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 250mW,

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KSC1393RTA
ON Semiconductor

KSC1393RTA

Teilbestand: 7167

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 24dB, Leistung max: 250mW,

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KSC2756YMTF
ON Semiconductor

KSC2756YMTF

Teilbestand: 7180

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 850MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB ~ 23dB, Leistung max: 150mW,

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KSC2786OTA
ON Semiconductor

KSC2786OTA

Teilbestand: 4780

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 18dB ~ 22dB, Leistung max: 250mW,

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KSC3123OMTF
ON Semiconductor

KSC3123OMTF

Teilbestand: 7146

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 23dB, Leistung max: 150mW,

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KSC1674COTA
ON Semiconductor

KSC1674COTA

Teilbestand: 7157

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

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KSC2756OMTF
ON Semiconductor

KSC2756OMTF

Teilbestand: 7060

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 850MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB ~ 23dB, Leistung max: 150mW,

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KSC2756RMTF
ON Semiconductor

KSC2756RMTF

Teilbestand: 7189

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 850MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB ~ 23dB, Leistung max: 150mW,

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KSC1674COBU
ON Semiconductor

KSC1674COBU

Teilbestand: 7160

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

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SMMBTH10-4LT3G
ON Semiconductor

SMMBTH10-4LT3G

Teilbestand: 123119

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Leistung max: 225mW,

Wunschzettel
KSC1674YBU
ON Semiconductor

KSC1674YBU

Teilbestand: 106417

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

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KSC1674OBU
ON Semiconductor

KSC1674OBU

Teilbestand: 4786

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

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KSC1730OBU
ON Semiconductor

KSC1730OBU

Teilbestand: 7115

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 250mW,

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PN918
ON Semiconductor

PN918

Teilbestand: 7114

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

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KST10MTF
ON Semiconductor

KST10MTF

Teilbestand: 180071

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

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MPS5179
ON Semiconductor

MPS5179

Teilbestand: 4760

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel
KSC1393YTA
ON Semiconductor

KSC1393YTA

Teilbestand: 7126

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 24dB, Leistung max: 250mW,

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FPNH10
ON Semiconductor

FPNH10

Teilbestand: 7054

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

Wunschzettel
KST5179MTF
ON Semiconductor

KST5179MTF

Teilbestand: 7051

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 900MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

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