Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

VEC2415-TL-W

Teilbestand: 107431

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 1mA,

FDMS3602S

Teilbestand: 50082

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, 26A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTQD6968N

Teilbestand: 2957

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

FDMD8580

Teilbestand: 44299

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), 82A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 250µA,

FDS8984_F123

Teilbestand: 2990

NTTFS5C466NLTAG

Teilbestand: 287

FET-Typ: N-Channel, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

FDMC8032L

Teilbestand: 190294

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTZD3155CT5G

Teilbestand: 3321

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTHD4401PT3G

Teilbestand: 2940

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

NVMFD5C478NLT1G

Teilbestand: 6504

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 20µA,

SSD2009ATF

Teilbestand: 2953

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDG6303N-F169

Teilbestand: 2964

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTZD3155CT1H

Teilbestand: 142970

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

ECH8661-TL-HX

Teilbestand: 3018

FDMD8240L

Teilbestand: 56888

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 23A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDPC4044

Teilbestand: 42785

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 27A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDC6432SH

Teilbestand: 2951

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A, 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 1mA,

NDC7001C

Teilbestand: 161454

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 510mA, 340mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

FDMC7200S

Teilbestand: 199650

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, 13A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NVMFD5C470NT1G

Teilbestand: 6526

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

NTTFS5C658NLTAG

Teilbestand: 328

FW389-TL-2WX

Teilbestand: 3022

FW217A-TL-2WX

Teilbestand: 2947

NTLJD3183CZTAG

Teilbestand: 2939

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A, 2.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FDMC8200

Teilbestand: 148681

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 12A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDMS7620S

Teilbestand: 128539

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.1A, 12.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 10.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDMS9600S

Teilbestand: 66311

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FW217A-TL-2W

Teilbestand: 198899

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 35V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 6A, 10V,

NTTFS5C478NLTAG

Teilbestand: 6464

EFC4626R-TR

Teilbestand: 135891

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDMC89521L

Teilbestand: 82261

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.2A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NVMFD5C478NT1G

Teilbestand: 6477

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 20µA,

MVDF2C03HDR2G

Teilbestand: 3013

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.1A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

ECH8662-TL-HX

Teilbestand: 3098

FDS9958

Teilbestand: 153191

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDC8602

Teilbestand: 148680

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,