Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

NVMFD5C470NLWFT1G

Teilbestand: 277

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 20µA,

FDMS3660S

Teilbestand: 144159

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

FDMD8440L

Teilbestand: 9941

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Ta), 87A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 21A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDMS3686S

Teilbestand: 98643

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A, 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

SQJ500EPTR

Teilbestand: 2970

VEC2616-TL-H-Z-W

Teilbestand: 9922

NTMFD4902NFT3G

Teilbestand: 98047

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.3A, 13.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

SSD2007ATF

Teilbestand: 2977

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

MMDF2P02HDR2G

Teilbestand: 2922

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

FDS3992

Teilbestand: 87571

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 62 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTBG

Teilbestand: 162644

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FDPC3D5N025X9D

Teilbestand: 97245

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 74A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.01 mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDS8949

Teilbestand: 64827

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

ECH8655R-TL-H

Teilbestand: 174892

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

NDS8958

Teilbestand: 2659

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

NTHD3100CT3

Teilbestand: 2692

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

FDY4001CZ

Teilbestand: 2688

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, 150mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTMD6P02R2SG

Teilbestand: 2763

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

MMDF3N04HDR2

Teilbestand: 2667

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDMS3660S-F121

Teilbestand: 2953

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

NTMD2P01R2G

Teilbestand: 2669

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

VEC2616-TL-H-Z

Teilbestand: 2971

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDMC8200S_F106

Teilbestand: 3352

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 8.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FW812-TL-E

Teilbestand: 2832

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 35V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 1mA,

NTLUD3191PZTBG

Teilbestand: 2826

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FDS8962C

Teilbestand: 2774

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTMC1300R2

Teilbestand: 3306

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A, 1.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

FDW9926NZ

Teilbestand: 2770

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDR8308P

Teilbestand: 2748

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

EMH2407-TL-H

Teilbestand: 165186

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V,

ECH8619-TL-E

Teilbestand: 2845

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDZ2554P

Teilbestand: 2769

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDW2501NZ

Teilbestand: 2739

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDJ1032C

Teilbestand: 2679

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A, 2.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTQD6968R2

Teilbestand: 2684

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

FDW2512NZ

Teilbestand: 2739

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,