Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

RB400VYM-50FHTR

Rohm Semiconductor

RB400VYM-50FHTR

Teilbestand: 143

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 7.35ns,

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Rohm Semiconductor

RFUH10NS6STL

Teilbestand: 111024

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.8V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RB520CM-60T2R

Teilbestand: 192150

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 440mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB161QS-40T18R

Teilbestand: 108605

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RFN20NS3SFHTL

Teilbestand: 106

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 350V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Rohm Semiconductor

RFUH10NS4STL

Teilbestand: 91114

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 430V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RF05VYM1SFHTR

Teilbestand: 116

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RF05VYM2SFHTR

Teilbestand: 73

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RB520G-30T2R

Teilbestand: 133160

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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RB550VYM-30FHTR

Rohm Semiconductor

RB550VYM-30FHTR

Teilbestand: 85

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 10.7ns,

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RB520CS-30FHT2RA

Rohm Semiconductor

RB520CS-30FHT2RA

Teilbestand: 158

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RRE02VSM4STR

Teilbestand: 124049

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RFN20NS6SFHTL

Teilbestand: 71

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

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RB558VYM150FHTR

Rohm Semiconductor

RB558VYM150FHTR

Teilbestand: 160

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 6.35ns,

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RB168VYM100FHTR

Rohm Semiconductor

RB168VYM100FHTR

Teilbestand: 144

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 6.7ns,

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Rohm Semiconductor

RFUH20NS6SFHTL

Teilbestand: 91

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.8V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Rohm Semiconductor

RB400DFHT146

Teilbestand: 132

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 7.35ns,

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RB578VYM100FHTR

Rohm Semiconductor

RB578VYM100FHTR

Teilbestand: 120

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4.35ns,

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Rohm Semiconductor

RB520CM-30T2R

Teilbestand: 155082

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RB531VM-30TE-17

Rohm Semiconductor

RB531VM-30TE-17

Teilbestand: 193077

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RFN20NS4SFHTL

Teilbestand: 140

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 430V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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Rohm Semiconductor

RRE07VTM4SFHTR

Teilbestand: 117

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 700mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RRE07VTM6SFHTR

Teilbestand: 154

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 700mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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RB160VYM-40FHTR

Rohm Semiconductor

RB160VYM-40FHTR

Teilbestand: 156

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 7.4ns,

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RSX071VYM30FHTR

Rohm Semiconductor

RSX071VYM30FHTR

Teilbestand: 153

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 420mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 9.6ns,

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Rohm Semiconductor

RF05VAM1STR

Teilbestand: 148508

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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RB521CS-30FHT2RA

Rohm Semiconductor

RB521CS-30FHT2RA

Teilbestand: 138

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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RB168VYM150FHTR

Rohm Semiconductor

RB168VYM150FHTR

Teilbestand: 120

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4.8ns,

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Rohm Semiconductor

RB420DFHT146

Teilbestand: 80

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RRE02VTM6SFHTR

Teilbestand: 162

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RB550VAM-30TR

Teilbestand: 186895

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB886CST2RA

Teilbestand: 108515

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 1mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RB751CS-40FHT2RA

Rohm Semiconductor

RB751CS-40FHT2RA

Teilbestand: 128

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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RB168VYM-30FHTR

Rohm Semiconductor

RB168VYM-30FHTR

Teilbestand: 148

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4.7ns,

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Rohm Semiconductor

RB521G-40FHT2R

Teilbestand: 140

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RFUH20NS6STL

Teilbestand: 91905

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.8V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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