Dioden - Gleichrichter - Einzeln

RB421DT146

Teilbestand: 162882

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

RB021VAM90TR

Teilbestand: 112273

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RFN3BGE6STL

Teilbestand: 73

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

RFN10NS6SFHTL

Teilbestand: 116

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

RRE02VTM4SFHTR

Teilbestand: 156

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

RFN20NS6STL

Teilbestand: 77828

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

RB400VAM-50TR

Teilbestand: 89

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB521AS-40T2R

Teilbestand: 87

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RFN5BGE3STL

Teilbestand: 69

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 350V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

RFUH10NS6SFHTL

Teilbestand: 94

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.8V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

RB521AS-30T2R

Teilbestand: 138461

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RSX101VYM30FHTR

Teilbestand: 120

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 9.6ns,

RSX071VAM30TR

Teilbestand: 114

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 420mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 9.6ns,

RFN10NS6STL

Teilbestand: 96545

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

RFUH10NS4SFHTL

Teilbestand: 156

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 430V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

RB168VAM100TR

Teilbestand: 137

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SCS215AJHRTLL

Teilbestand: 209

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 15A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS208AJTLL

Teilbestand: 34021

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 8A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS206AJTLL

Teilbestand: 42503

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS220AJTLL

Teilbestand: 15503

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS220AJHRTLL

Teilbestand: 216

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS206AJHRTLL

Teilbestand: 146

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS212AJHRTLL

Teilbestand: 194

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 12A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS215AJTLL

Teilbestand: 21343

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 15A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS208AJHRTLL

Teilbestand: 167

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 8A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

RBE05VM20ATE-17

Teilbestand: 144872

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 430mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SCS208AGC

Teilbestand: 16138

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 8A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS304AHGC9

Teilbestand: 184

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS206AGC

Teilbestand: 19713

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS210AGC

Teilbestand: 13817

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

SCS110AGC

Teilbestand: 9974

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

RFN30TS6SGC11

Teilbestand: 18310

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

RFN5B3STL

Teilbestand: 2525

RB085B-40GTL

Teilbestand: 2531

RFN3B2STL

Teilbestand: 2469

RB051MS-2YTR

Teilbestand: 2463