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M95040-WMN6T

M95040-WMN6T

Teilbestand: 1124

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 20MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M27C4001-12C1

M27C4001-12C1

Teilbestand: 8120

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 4Mb (512K x 8),

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M93C66-WMN6

M93C66-WMN6

Teilbestand: 1291

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93C86-MN6T

M93C86-MN6T

Teilbestand: 1149

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M27C4001-12F1

M27C4001-12F1

Teilbestand: 8066

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 4Mb (512K x 8),

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M27C256B-15F1

M27C256B-15F1

Teilbestand: 7990

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 256Kb (32K x 8),

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M27C1001-12C1

M27C1001-12C1

Teilbestand: 7518

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Mb (128K x 8),

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M48Z35Y-70MH1E

M48Z35Y-70MH1E

Teilbestand: 1639

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M27C512-12C1

M27C512-12C1

Teilbestand: 823

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 512Kb (64K x 8),

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M24C64-WMN6T

M24C64-WMN6T

Teilbestand: 9345

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93C66-MN6

M93C66-MN6

Teilbestand: 1331

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M24C02-WDW6T

M24C02-WDW6T

Teilbestand: 9231

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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DSM2180F3-90K6

DSM2180F3-90K6

Teilbestand: 7463

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 1Mb (128K x 8),

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M48Z12-200PC1

M48Z12-200PC1

Teilbestand: 1521

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns,

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M27C4001-10F1

M27C4001-10F1

Teilbestand: 8024

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 4Mb (512K x 8),

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M29W800DB90N6T

M29W800DB90N6T

Teilbestand: 9214

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

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M27C512-15B1

M27C512-15B1

Teilbestand: 8241

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 512Kb (64K x 8),

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M58LW032D110ZA6

M58LW032D110ZA6

Teilbestand: 9031

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

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M27C4001-15C1

M27C4001-15C1

Teilbestand: 8145

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 4Mb (512K x 8),

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M34C02-LDW6TP

M34C02-LDW6TP

Teilbestand: 6103

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ms,

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DSM2180F3V-15T6

DSM2180F3V-15T6

Teilbestand: 7464

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 1Mb (128K x 8),

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M27C256B-90C1

M27C256B-90C1

Teilbestand: 8016

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 256Kb (32K x 8),

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M27C1001-10C1

M27C1001-10C1

Teilbestand: 7461

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Mb (128K x 8),

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M24C04-WDW6T

M24C04-WDW6T

Teilbestand: 9276

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93C46-BN6

M93C46-BN6

Teilbestand: 1072

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M68AW512ML70ND6

M68AW512ML70ND6

Teilbestand: 9087

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 8Mb (512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M24C02-WBN6

M24C02-WBN6

Teilbestand: 9460

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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NAND01GW3B2AN6E

NAND01GW3B2AN6E

Teilbestand: 5796

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 30ns,

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M27C256B-70C1

M27C256B-70C1

Teilbestand: 7936

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 256Kb (32K x 8),

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M27C512-12B1

M27C512-12B1

Teilbestand: 8221

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 512Kb (64K x 8),

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M28W320CT90N6

M28W320CT90N6

Teilbestand: 8718

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (2M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

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M27C4001-10B1

M27C4001-10B1

Teilbestand: 8075

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 4Mb (512K x 8),

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M27C1001-15B1

M27C1001-15B1

Teilbestand: 830

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Mb (128K x 8),

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M27C512-10F1

M27C512-10F1

Teilbestand: 8225

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 512Kb (64K x 8),

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NAND512R3A3AZA6E

NAND512R3A3AZA6E

Teilbestand: 7641

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

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M93S46-WMN6

M93S46-WMN6

Teilbestand: 1217

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (64 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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