Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZS55B18 RXG

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZS55C8V2 RXG

Teilbestand: 195

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZY55B24 RYG

Teilbestand: 268

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZS55B13 RXG

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 26 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZY55B30 RYG

Teilbestand: 268

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZS55B20 RXG

Teilbestand: 233

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZS55B3V0 RXG

Teilbestand: 256

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZY55C4V3 RYG

Teilbestand: 197

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZY55B6V8 RYG

Teilbestand: 211

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZS55B4V7 RXG

Teilbestand: 185

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZY55C7V5 RYG

Teilbestand: 232

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B18 A0G

Teilbestand: 254

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B8V2 A0G

Teilbestand: 216

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5mA @ 700mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B39 A0G

Teilbestand: 221

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 27.3mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B30 A0G

Teilbestand: 225

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 21mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V9-G RHG

Teilbestand: 197

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B5V6 A0G

Teilbestand: 234

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2mA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B68 A0G

Teilbestand: 214

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 240 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 47.6mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B10 A0G

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 7mA @ 200mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B6V2 A0G

Teilbestand: 272

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B13 A0G

Teilbestand: 236

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 8mA @ 100mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B5V1 A0G

Teilbestand: 235

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2mA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V3-G RHG

Teilbestand: 259

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B51 A0G

Teilbestand: 237

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 180 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 35.7mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B43 A0G

Teilbestand: 280

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 30.1mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B15 A0G

Teilbestand: 233

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B3V6 A0G

Teilbestand: 285

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B75 A0G

Teilbestand: 260

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 255 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 52.5mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B9V1S RRG

Teilbestand: 265

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 450nA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B6V2 A0G

Teilbestand: 291

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4mA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B7V5 A0G

Teilbestand: 261

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5mA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B16 A0G

Teilbestand: 225

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 11.2mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C18 A0G

Teilbestand: 255

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 12.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B18 A0G

Teilbestand: 206

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 12.6mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B33 A0G

Teilbestand: 267

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 23.1mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B22 A0G

Teilbestand: 246

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 15.4mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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