Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZT52B3V6-G RHG

Teilbestand: 275

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B20 A0G

Teilbestand: 285

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B20 A0G

Teilbestand: 283

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 14mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B27 A0G

Teilbestand: 256

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B12 A0G

Teilbestand: 210

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 8mA @ 100mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B3V9 A0G

Teilbestand: 201

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B15 A0G

Teilbestand: 203

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10.5mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B3V6 A0G

Teilbestand: 277

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1mA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V7-G RHG

Teilbestand: 269

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B56 A0G

Teilbestand: 214

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 39.2mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B4V7 A0G

Teilbestand: 261

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2mA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B3V0 A0G

Teilbestand: 267

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B27 A0G

Teilbestand: 220

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 18.9mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B47 A0G

Teilbestand: 254

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 32.9mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B9V1 A0G

Teilbestand: 278

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 6mA @ 500mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C12 A0G

Teilbestand: 283

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C24 A0G

Teilbestand: 213

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 16.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B7V5 A0G

Teilbestand: 211

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B5V6 A0G

Teilbestand: 253

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B6V8 A0G

Teilbestand: 245

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4mA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B10 A0G

Teilbestand: 272

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B11 A0G

Teilbestand: 274

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 8mA @ 100mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C10 A0G

Teilbestand: 262

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B4V3 A0G

Teilbestand: 213

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B24 A0G

Teilbestand: 286

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 16.8mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V3-G RHG

Teilbestand: 216

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B4V7 A0G

Teilbestand: 280

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B9V1 A0G

Teilbestand: 209

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B3V9 A0G

Teilbestand: 278

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1mA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C27 A0G

Teilbestand: 201

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 18.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B4V3 A0G

Teilbestand: 283

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1mA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79B62 A0G

Teilbestand: 281

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 215 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 43.4mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B3V3 A0G

Teilbestand: 217

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V0-G RHG

Teilbestand: 280

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B8V2 A0G

Teilbestand: 269

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B24 A0G

Teilbestand: 199

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

Wunschzettel