Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZX79B36 A0G

Teilbestand: 212

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 25.2mA @ 50mV, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C15P R3G

Teilbestand: 7831

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C22P R3G

Teilbestand: 7786

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22.05V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C12P R3G

Teilbestand: 7809

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 9.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C36P R3G

Teilbestand: 7743

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 27V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P RUG

Teilbestand: 7695

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.05V, Toleranz: ±6.07%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C51 RHG

Teilbestand: 9954

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 180 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 35.7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V6 RHG

Teilbestand: 9999

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4.5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C7V5 RHG

Teilbestand: 9966

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 900nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B33 RHG

Teilbestand: 9905

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 23V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C27 RHG

Teilbestand: 9981

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 18.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C10 RHG

Teilbestand: 9923

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 180nA @ 7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6 RHG

Teilbestand: 9945

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 900nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V0S RRG

Teilbestand: 9910

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 9µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C15 A0G

Teilbestand: 9954

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C47P RVG

Teilbestand: 9939

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C27P RVG

Teilbestand: 9987

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C100P RVG

Teilbestand: 9971

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 75V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C8V2 RHG

Teilbestand: 9999

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 630nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C30 RHG

Teilbestand: 9967

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C62P RVG

Teilbestand: 9973

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B13 RHG

Teilbestand: 9960

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C51S RRG

Teilbestand: 9925

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 180 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 35.7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B43 RHG

Teilbestand: 9940

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 30.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C15 RHG

Teilbestand: 9931

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 10.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C75 RHG

Teilbestand: 9938

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 255 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 52.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C47 RHG

Teilbestand: 9924

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V1 RHG

Teilbestand: 9940

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1.8µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C13P RVG

Teilbestand: 9910

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13.25V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V3 RHG

Teilbestand: 9928

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V1S RRG

Teilbestand: 9964

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1.8µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C30P RVG

Teilbestand: 9968

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C39S RRG

Teilbestand: 9922

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 27.3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B15 RHG

Teilbestand: 9982

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 10.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C15P RVG

Teilbestand: 9952

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 14.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B12 RHG

Teilbestand: 9986

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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