Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZT52C6V2 RHG

Teilbestand: 9907

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V6 RHG

Teilbestand: 9947

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4.5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C82P RVG

Teilbestand: 9941

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 82V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 62V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C11P RVG

Teilbestand: 16212

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4µA @ 8.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8S RRG

Teilbestand: 16222

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1.8µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4 RHG

Teilbestand: 16207

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B39 RHG

Teilbestand: 16269

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 27.3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C12 RHG

Teilbestand: 16271

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C15S RRG

Teilbestand: 16246

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 10.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20S RRG

Teilbestand: 16288

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C9V1 RHG

Teilbestand: 16267

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 450nA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P RUG

Teilbestand: 6797

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±6.09%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P RUG

Teilbestand: 6827

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.45V, Toleranz: ±6.04%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P RUG

Teilbestand: 6797

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5.88%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 3 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P RVG

Teilbestand: 6790

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 7µA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P RFG

Teilbestand: 3763

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.05V, Toleranz: ±6.07%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P R3G

Teilbestand: 6845

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.05V, Toleranz: ±6.07%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P R3G

Teilbestand: 6798

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±6.09%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P RFG

Teilbestand: 6783

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±6.09%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P R3G

Teilbestand: 6811

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.45V, Toleranz: ±6.04%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P RFG

Teilbestand: 6808

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.45V, Toleranz: ±6.04%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P RFG

Teilbestand: 6813

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5.88%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 3 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P R3G

Teilbestand: 6825

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5.88%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 3 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P RFG

Teilbestand: 3694

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 7µA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P R3G

Teilbestand: 6859

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 7µA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P RTG

Teilbestand: 6856

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.05V, Toleranz: ±6.07%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P RQG

Teilbestand: 6780

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.05V, Toleranz: ±6.07%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P MTG

Teilbestand: 6843

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.05V, Toleranz: ±6.07%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P MQG

Teilbestand: 6843

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.05V, Toleranz: ±6.07%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P RTG

Teilbestand: 6859

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±6.09%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P RQG

Teilbestand: 6818

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±6.09%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P MQG

Teilbestand: 6806

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±6.09%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P MTG

Teilbestand: 3688

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±6.09%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P RTG

Teilbestand: 6847

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.45V, Toleranz: ±6.04%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P RQG

Teilbestand: 6821

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.45V, Toleranz: ±6.04%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P MQG

Teilbestand: 6834

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.45V, Toleranz: ±6.04%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel