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Dioden - Brückengleichrichter

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ABS15JHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15JHRGG

Teilbestand: 64

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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ABS15MHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15MHRGG

Teilbestand: 72

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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ABS10HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10HRGG

Teilbestand: 142

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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ABS2HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS2HRGG

Teilbestand: 77

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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ABS6 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS6 RGG

Teilbestand: 117

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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ABS8 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8 RGG

Teilbestand: 54

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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ABS8HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8HRGG

Teilbestand: 96

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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ABS6HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS6HRGG

Teilbestand: 89

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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ABS4 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS4 RGG

Teilbestand: 131

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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ABS20M RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS20M RGG

Teilbestand: 102

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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ABS15LJ RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15LJ RGG

Teilbestand: 109

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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ABS2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS2 RGG

Teilbestand: 87

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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ABS4HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS4HRGG

Teilbestand: 95

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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ABS10 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10 RGG

Teilbestand: 104

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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ABS15J RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15J RGG

Teilbestand: 82

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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ABS15M RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15M RGG

Teilbestand: 148

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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ABS8HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8HREG

Teilbestand: 116

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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ABS10HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10HREG

Teilbestand: 110

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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ABS6HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS6HREG

Teilbestand: 131

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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ABS20M REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS20M REG

Teilbestand: 70

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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ABS15LJ REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15LJ REG

Teilbestand: 129

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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ABS2 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS2 REG

Teilbestand: 166

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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ABS15JHREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15JHREG

Teilbestand: 122

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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ABS15MHREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15MHREG

Teilbestand: 171

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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ABS4 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS4 REG

Teilbestand: 141

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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ABS2HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS2HREG

Teilbestand: 118

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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ABS4HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS4HREG

Teilbestand: 144

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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ABS15M REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15M REG

Teilbestand: 4332

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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ABS15J REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15J REG

Teilbestand: 4334

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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ABS6 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS6 REG

Teilbestand: 9936

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
ABS8 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8 REG

Teilbestand: 24395

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel
ABS10 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10 REG

Teilbestand: 21563

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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TS25P03GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P03GHD2G

Teilbestand: 46

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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TS40P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS40P06GHD2G

Teilbestand: 94

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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TS40P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS40P07GHD2G

Teilbestand: 63

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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TS50P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS50P06GHC2G

Teilbestand: 119

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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