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Dioden - Brückengleichrichter

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GBPC4006 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4006 T0G

Teilbestand: 162

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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GBU602 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU602 D2G

Teilbestand: 145

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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DBLS102GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS102GHC1G

Teilbestand: 110

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

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DBLS202G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS202G RDG

Teilbestand: 153

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

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TSS4B01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B01G D2G

Teilbestand: 141

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

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DBLS102GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS102GHRDG

Teilbestand: 150

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

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TS10K60HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10K60HD3G

Teilbestand: 117

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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GBPC25005W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC25005W T0G

Teilbestand: 82

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

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TS40P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS40P05GHD2G

Teilbestand: 158

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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DBLS106G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS106G RDG

Teilbestand: 162

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

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GBLA04 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA04 D2G

Teilbestand: 77

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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TS25P01G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P01G C2G

Teilbestand: 158

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

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DBL205GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL205GHC1G

Teilbestand: 151

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

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HDBL106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBL106G C1G

Teilbestand: 131

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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GBU15L06HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU15L06HD2G

Teilbestand: 127

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 960mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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DBLS202GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS202GHC1G

Teilbestand: 80

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

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DBLS201GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS201GHRDG

Teilbestand: 148

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 50V,

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TSS4B04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B04GHD2G

Teilbestand: 72

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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SBS36 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS36 REG

Teilbestand: 164

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 60V,

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SBS34HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS34HREG

Teilbestand: 120

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 40V,

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TS50P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS50P05G D2G

Teilbestand: 115

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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TS6K60HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6K60HD3G

Teilbestand: 160

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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DBLS106GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS106GHC1G

Teilbestand: 104

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

Wunschzettel
TS25P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P06G C2G

Teilbestand: 123

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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GBPC1510W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1510W T0G

Teilbestand: 86

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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GBL08HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL08HD2G

Teilbestand: 120

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel
TS8P02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P02GHC2G

Teilbestand: 79

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel
TS8P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P05G C2G

Teilbestand: 126

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
TS8P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P05GHD2G

Teilbestand: 73

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
GBPC5006 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5006 T0G

Teilbestand: 122

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
EABS1JHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

EABS1JHRGG

Teilbestand: 115

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 600V,

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GBLA10HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA10HD2G

Teilbestand: 129

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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TS4K40HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS4K40HD3G

Teilbestand: 134

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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GBPC2502 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2502 T0G

Teilbestand: 112

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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GBL206 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL206 D2G

Teilbestand: 151

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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DBLS101G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS101G C1G

Teilbestand: 148

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 50V,

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