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Dioden - Brückengleichrichter

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GBPC25005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC25005M T0G

Teilbestand: 130

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

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TS15PL05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15PL05G C2G

Teilbestand: 91

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel
DBL153GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL153GHC1G

Teilbestand: 152

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

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TS8P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P06G C2G

Teilbestand: 96

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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GBU1004 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1004 D2G

Teilbestand: 159

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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TS8P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P04GHD2G

Teilbestand: 164

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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TSS4B04GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B04GHC2G

Teilbestand: 92

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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GBPC5006M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5006M T0G

Teilbestand: 87

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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DBL209G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL209G C1G

Teilbestand: 132

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.4kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1400V,

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TS8P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P07G C2G

Teilbestand: 84

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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TS10KL60HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10KL60HD3G

Teilbestand: 176

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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TS25P04G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P04G C2G

Teilbestand: 65

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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D2SB80HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB80HD2G

Teilbestand: 80

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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GBPC3502 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3502 T0G

Teilbestand: 143

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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TS25P04G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P04G D2G

Teilbestand: 100

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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GBU605HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU605HD2G

Teilbestand: 141

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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GBL08 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL08 D2G

Teilbestand: 150

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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SBS25 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS25 REG

Teilbestand: 144

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 50V,

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GBU401 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU401 D2G

Teilbestand: 169

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

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DBLS104GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS104GHRDG

Teilbestand: 167

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 400V,

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RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation

RMB4SHRCG

Teilbestand: 137

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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GBL201 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL201 D2G

Teilbestand: 120

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel
DBLS204GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS204GHRDG

Teilbestand: 86

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 400V,

Wunschzettel
DBL103GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL103GHC1G

Teilbestand: 99

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

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DBL202GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL202GHC1G

Teilbestand: 123

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

Wunschzettel
GBU404HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU404HD2G

Teilbestand: 142

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel
GBPC25005 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC25005 T0G

Teilbestand: 124

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel
SBS34 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS34 REG

Teilbestand: 143

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 40V,

Wunschzettel
DBL104G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL104G C1G

Teilbestand: 91

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 400V,

Wunschzettel
GBPC5010M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5010M T0G

Teilbestand: 128

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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GBU1005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1005 D2G

Teilbestand: 125

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel
DBLS153GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS153GHC1G

Teilbestand: 125

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

Wunschzettel
GBPC1508 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1508 T0G

Teilbestand: 111

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel
GBPC2504M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2504M T0G

Teilbestand: 90

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel
GBPC1501M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1501M T0G

Teilbestand: 98

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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DBL208G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL208G C1G

Teilbestand: 110

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1200V,

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