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Dioden - Brückengleichrichter

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DBL155GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL155GHC1G

Teilbestand: 106

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

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EABS1DHREG
Taiwan Semiconductor Corporation

EABS1DHREG

Teilbestand: 124

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 200V,

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GBPC2501W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2501W T0G

Teilbestand: 170

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel
GBL02 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL02 D2G

Teilbestand: 84

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBS2HRCG

Teilbestand: 128

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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UR4KB60-B C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

UR4KB60-B C2G

Teilbestand: 90

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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GBPC5002 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5002 T0G

Teilbestand: 121

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

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EABS1G REG
Taiwan Semiconductor Corporation

EABS1G REG

Teilbestand: 83

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 400V,

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GBPC40005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC40005M T0G

Teilbestand: 87

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

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DBLS154G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS154G C1G

Teilbestand: 155

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 400V,

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GBU1007HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1007HD2G

Teilbestand: 99

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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DBLS157GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS157GHRDG

Teilbestand: 139

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1000V,

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DBL206G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL206G C1G

Teilbestand: 159

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

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TSS4B03GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B03GHC2G

Teilbestand: 160

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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GBL01 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL01 D2G

Teilbestand: 148

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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GBPC35005W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC35005W T0G

Teilbestand: 160

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

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DBLS159G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS159G RDG

Teilbestand: 141

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.4kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1400V,

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MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBS2 RCG

Teilbestand: 132

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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HDBLS104G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBLS104G C1G

Teilbestand: 81

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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GBLA01HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA01HD2G

Teilbestand: 126

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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SBS24 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS24 RGG

Teilbestand: 144

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 40V,

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GBPC1504M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1504M T0G

Teilbestand: 172

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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TS25P02GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P02GHD2G

Teilbestand: 134

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel
TS8P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P05GHC2G

Teilbestand: 72

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
GBL206HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL206HD2G

Teilbestand: 113

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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TS35P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS35P05GHC2G

Teilbestand: 137

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
GBPC2508W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2508W T0G

Teilbestand: 157

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel
GBPC5008M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5008M T0G

Teilbestand: 117

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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DBLS104G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS104G C1G

Teilbestand: 78

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 400V,

Wunschzettel
DBL104GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL104GHC1G

Teilbestand: 173

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 400V,

Wunschzettel
GBPC5008 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5008 T0G

Teilbestand: 88

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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DBLS205GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS205GHC1G

Teilbestand: 121

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

Wunschzettel
DBLS155GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS155GHC1G

Teilbestand: 133

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

Wunschzettel
TS6K40HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6K40HD3G

Teilbestand: 104

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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TS20P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P06G C2G

Teilbestand: 121

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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D2SB40HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB40HD2G

Teilbestand: 140

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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