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Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

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2SK3079ATE12LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3079ATE12LQ

Teilbestand: 25011

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 470MHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Spannung - Test: 4.5V, Aktuelle Bewertung: 3A,

Wunschzettel
2SK3756(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3756(TE12L,F)

Teilbestand: 38838

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 470MHz, Dazugewinnen: 12dB, Spannung - Test: 4.5V, Aktuelle Bewertung: 1A,

Wunschzettel
2SK3475TE12LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3475TE12LF

Teilbestand: 28639

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 520MHz, Dazugewinnen: 14.9dB, Spannung - Test: 7.2V, Aktuelle Bewertung: 1A,

Wunschzettel
2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4037(TE12L,Q)

Teilbestand: 22269

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 470MHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Spannung - Test: 6V, Aktuelle Bewertung: 3A,

Wunschzettel
2SK209-BL(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK209-BL(TE85L,F)

Teilbestand: 9945

Transistortyp: N-Channel JFET, Frequenz: 1kHz, Spannung - Test: 10V, Rauschzahl: 1dB,

Wunschzettel
2SK209-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK209-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 150111

Transistortyp: N-Channel JFET, Frequenz: 1kHz, Spannung - Test: 10V, Rauschzahl: 1dB,

Wunschzettel
2SK3476(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3476(TE12L,Q)

Teilbestand: 6228

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 520MHz, Dazugewinnen: 11.4dB, Spannung - Test: 7.2V, Aktuelle Bewertung: 3A,

Wunschzettel
2SK3078A(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3078A(TE12L,F)

Teilbestand: 6184

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 470MHz, Dazugewinnen: 8dB, Spannung - Test: 4.5V, Aktuelle Bewertung: 500mA,

Wunschzettel
2SK3074TE12LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3074TE12LF

Teilbestand: 6224

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 520MHz, Dazugewinnen: 14.9dB, Spannung - Test: 9.6V, Aktuelle Bewertung: 1A,

Wunschzettel
2SK3075(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3075(TE12L,Q)

Teilbestand: 9920

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 520MHz, Dazugewinnen: 11.7dB, Spannung - Test: 9.6V, Aktuelle Bewertung: 5A,

Wunschzettel
2SK2854(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2854(TE12L,F)

Teilbestand: 88332

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 849MHz, Aktuelle Bewertung: 500mA,

Wunschzettel
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK209-GR(TE85L,F)

Teilbestand: 181884

Transistortyp: N-Channel JFET, Frequenz: 1kHz, Spannung - Test: 10V, Rauschzahl: 1dB,

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3SK291(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

3SK291(TE85L,F)

Teilbestand: 404

Transistortyp: N-Channel Dual Gate, Frequenz: 800MHz, Dazugewinnen: 22.5dB, Spannung - Test: 6V, Aktuelle Bewertung: 30mA, Rauschzahl: 2.5dB,

Wunschzettel
3SK293(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

3SK293(TE85L,F)

Teilbestand: 414

Transistortyp: N-Channel Dual Gate, Frequenz: 800MHz, Dazugewinnen: 22dB, Spannung - Test: 6V, Aktuelle Bewertung: 30mA, Rauschzahl: 2.5dB,

Wunschzettel
3SK292(TE85R,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

3SK292(TE85R,F)

Teilbestand: 388

Transistortyp: N-Channel Dual Gate, Frequenz: 500MHz, Dazugewinnen: 26dB, Spannung - Test: 6V, Aktuelle Bewertung: 30mA, Rauschzahl: 1.4dB,

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3SK294(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

3SK294(TE85L,F)

Teilbestand: 141644

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 500MHz, Dazugewinnen: 26dB, Spannung - Test: 6V, Aktuelle Bewertung: 30mA, Rauschzahl: 1.4dB,

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RFM01U7P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RFM01U7P(TE12L,F)

Teilbestand: 25081

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 520MHz, Dazugewinnen: 10.8dB, Spannung - Test: 7.2V, Aktuelle Bewertung: 1A,

Wunschzettel
RFM08U9X(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

RFM08U9X(TE12L,Q)

Teilbestand: 9190

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 520MHz, Dazugewinnen: 11.7dB, Spannung - Test: 9.6V, Aktuelle Bewertung: 5A,

Wunschzettel
RFM12U7X(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

RFM12U7X(TE12L,Q)

Teilbestand: 7176

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 520MHz, Dazugewinnen: 10.8dB, Spannung - Test: 7.2V, Aktuelle Bewertung: 4A,

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RFM03U3CT(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

RFM03U3CT(TE12L)

Teilbestand: 10569

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 520MHz, Dazugewinnen: 14.8dB, Spannung - Test: 3.6V, Aktuelle Bewertung: 3A,

Wunschzettel
RFM04U6P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RFM04U6P(TE12L,F)

Teilbestand: 6008

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 470MHz, Dazugewinnen: 13.3dB, Spannung - Test: 6V, Aktuelle Bewertung: 2A,

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