Magnetsensoren - Schalter (Solid State) | Sensoren, Wandler | 1

TCS11NLU(TE85L,F)

Teilbestand: 698

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: North Pole, Erfassungsbereich: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 3.6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS11SLU(TE85L,F)

Teilbestand: 701

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 3.6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10DLU(TE85L,F)

Teilbestand: 6363

Funktion: Omnipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: Either, Erfassungsbereich: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 3.6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10SLU(TE85L,F)

Teilbestand: 6426

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 3.6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10SPU(TE85L,F)

Teilbestand: 6394

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 3.6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10DPU(TE85L,F)

Teilbestand: 653

Funktion: Omnipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: Either, Erfassungsbereich: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 3.6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10NPU(TE85L,F)

Teilbestand: 702

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: North Pole, Erfassungsbereich: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 3.6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS20DPR,LF

Teilbestand: 6395

Funktion: Omnipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: Either, Erfassungsbereich: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 5.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS11DLU(TE85L,F)

Teilbestand: 6382

Funktion: Omnipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: Either, Erfassungsbereich: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 3.6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10NLU(TE85L,F)

Teilbestand: 6359

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: North Pole, Erfassungsbereich: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 3.6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS20DLR,LF

Teilbestand: 6325

Funktion: Omnipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: Either, Erfassungsbereich: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 5.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS40DPR,LF

Teilbestand: 117776

Funktion: Omnipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: Either, Erfassungsbereich: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 5.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TCS40DLR,LF

Teilbestand: 130729

Funktion: Omnipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: Either, Erfassungsbereich: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.3V ~ 5.5V,

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