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Dioden - Zener - Single

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CRZ13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ13(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 99

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

Wunschzettel
CRZ20(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 140

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

Wunschzettel
CRZ36(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 137

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 28.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

Wunschzettel
CRY62(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 176

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±9.68%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

Wunschzettel
CRZ16(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 141

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

Wunschzettel
CRZ30(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 172

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ24(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 86

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 17V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ22(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 127

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ10(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 153

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 98

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ27(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 114

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 19V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ18(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 118

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 89

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ47(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 142

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 65 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 37.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 173943

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ43(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 170

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 34.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ39(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 150

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 31.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ10(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

Teilbestand: 8202

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ22(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

Teilbestand: 3906

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ47(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

Teilbestand: 8171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 65 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 37.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ30(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

Teilbestand: 8174

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ33(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 5464

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 26.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ12(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

Teilbestand: 8245

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ11(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

Teilbestand: 8173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRY68(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 152718

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRY82(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 127852

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 4.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRY75(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 138193

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 4.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRY91(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 5349

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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CRZ18(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

Teilbestand: 5364

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±10%, Leistung max: 700mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA,

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