Transistoren - IGBTs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

GT60N321(Q)

Teilbestand: 6662

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1000V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Leistung max: 170W,

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Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

Teilbestand: 6662

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, Leistung max: 240W,

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Toshiba Semiconductor and Storage

GT8G133(TE12L,Q)

Teilbestand: 6700

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A, Leistung max: 600mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

GT10G131(TE12L,Q)

Teilbestand: 6737

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A, Leistung max: 1W,

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Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312(Q)

Teilbestand: 6730

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 20A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Leistung max: 60W,

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