Dioden - RF | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

1SV308,L3F

Teilbestand: 151

Diodentyp: PIN - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Max: 50mA, Kapazität @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Widerstand @ Wenn, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SV308(TH3,F)

Teilbestand: 6994

Diodentyp: PIN - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Max: 50mA, Kapazität @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Widerstand @ Wenn, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SV307(TPH3,F)

Teilbestand: 101204

Diodentyp: Standard - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Max: 50mA, Kapazität @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Widerstand @ Wenn, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS315TPH3F

Teilbestand: 154649

Diodentyp: Schottky - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 5V, Strom - Max: 30mA, Kapazität @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS381,L3F

Teilbestand: 139396

Diodentyp: PIN - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Max: 100mA, Kapazität @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Widerstand @ Wenn, F: 900 mOhm @ 2mA, 100MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S02ACT(TPL3)

Teilbestand: 80

Diodentyp: PIN - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Max: 50mA, Kapazität @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Widerstand @ Wenn, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S12CR(TE85L,Q

Teilbestand: 6892

Diodentyp: PIN - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 180V, Strom - Max: 1A, Kapazität @ Vr, F: 1.3pF @ 40V, 1MHz, Widerstand @ Wenn, F: 700 mOhm @ 10mA, 100MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02FSTPL3

Teilbestand: 199251

Diodentyp: Schottky - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 10V, Strom - Max: 10mA, Kapazität @ Vr, F: 0.3pF @ 0.2V, 1MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDP4P02AT(TE85L)

Teilbestand: 6881

Diodentyp: PIN - 2 Independent, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Max: 50mA, Kapazität @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Widerstand @ Wenn, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S01FSTPL3

Teilbestand: 134503

Diodentyp: Schottky - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 4V, Strom - Max: 25mA, Kapazität @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S10FS(TPL3)

Teilbestand: 128

Diodentyp: Standard - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 10V, Kapazität @ Vr, F: 3.4pF @ 2.5V, 1MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S09FSTPL3

Teilbestand: 108

Diodentyp: Standard - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 10V, Kapazität @ Vr, F: 11.1pF @ 1V, 1MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S41FS(TPL3)

Teilbestand: 21538

Diodentyp: Standard - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 15V, Kapazität @ Vr, F: 16pF @ 2V, 1MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S07FSTPL3

Teilbestand: 21519

Diodentyp: Standard - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 10V, Kapazität @ Vr, F: 4.9pF @ 1V, 1MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S02AFS(TPL3)

Teilbestand: 198449

Diodentyp: PIN - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Max: 50mA, Kapazität @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Widerstand @ Wenn, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S08SC(TPL3)

Teilbestand: 159289

Diodentyp: PIN - Single, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Max: 50mA, Kapazität @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Widerstand @ Wenn, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

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Toshiba Semiconductor and Storage

JDH3D01STE85LF

Teilbestand: 6728

Diodentyp: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 4V, Strom - Max: 25mA, Kapazität @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz,

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