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Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

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2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

Teilbestand: 144

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

Teilbestand: 170

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 171976

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 17dB ~ 23dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

Teilbestand: 111075

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 128600

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 16.5dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

Teilbestand: 121034

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

Teilbestand: 190

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

Teilbestand: 170

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

Teilbestand: 187

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 7dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

Teilbestand: 173074

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

Teilbestand: 128

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 7.5dB, Leistung max: 100mW,

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2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

Teilbestand: 124837

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 17dB ~ 23dB, Leistung max: 100mW,

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2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

Teilbestand: 152602

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 150mW,

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2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

Teilbestand: 162523

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

Teilbestand: 133840

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 132303

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 100mW,

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2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

Teilbestand: 156257

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 190913

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 17dB, Leistung max: 100mW,

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2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

Teilbestand: 167393

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

Teilbestand: 7295

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

Teilbestand: 4783

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

Teilbestand: 7101

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 17dB ~ 23dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

Teilbestand: 7064

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 1.4dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

Teilbestand: 160292

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

Teilbestand: 91

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 11.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 700mW,

Wunschzettel
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

Teilbestand: 18982

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10.5dB, Leistung max: 1W,

Wunschzettel
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

Teilbestand: 4314

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.3V, Häufigkeit - Übergang: 7.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10.5dB, Leistung max: 1.6W,

Wunschzettel
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

Teilbestand: 9921

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.3V, Häufigkeit - Übergang: 12.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.8dB, Leistung max: 800mW,

Wunschzettel
MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

Teilbestand: 4313

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 16.5dB, Leistung max: 1.8W,

Wunschzettel
MT3S20TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

Teilbestand: 135

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 900mW,

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MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

Teilbestand: 9992

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.3V, Häufigkeit - Übergang: 11.2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Leistung max: 900mW,

Wunschzettel
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

Teilbestand: 176440

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 4.5dBi, Leistung max: 100mW,

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HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

Teilbestand: 7065

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,

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