Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

AUIRF6215

Teilbestand: 66605

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 6.6A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFZ44ZSTRL

Teilbestand: 67282

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 51A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.9 mOhm @ 31A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRFSL8403

Teilbestand: 67591

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 123A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 70A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR4620TRL

Teilbestand: 71560

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR8405TRL

Teilbestand: 72559

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.98 mOhm @ 90A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFU8405

Teilbestand: 72519

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.98 mOhm @ 90A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFS3806TRL

Teilbestand: 72665

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 43A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFZ48N

Teilbestand: 74090

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 69A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 40A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFZ44Z

Teilbestand: 74640

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 51A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.9 mOhm @ 31A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7805QTR

Teilbestand: 74694

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 7A, 4.5V,

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Infineon Technologies

AUIRFR4615TRL

Teilbestand: 74654

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFZ48Z

Teilbestand: 75823

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 61A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFZ24NSTRL

Teilbestand: 81059

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFN8401TR

Teilbestand: 87938

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 84A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.6 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7484QTR

Teilbestand: 79612

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 14A, 7V,

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Infineon Technologies

AUIRFN8403TR

Teilbestand: 33605

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7734M2TR

Teilbestand: 80010

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 43A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7416QTR

Teilbestand: 83586

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 5.6A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRLZ24NSTRL

Teilbestand: 81069

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 11A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR6215TRL

Teilbestand: 86560

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 295 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRFR8403TRL

Teilbestand: 91320

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.1 mOhm @ 76A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6260

Teilbestand: 68588

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 41A (Ta), 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3403

Teilbestand: 170735

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 115 mOhm @ 2.6A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD444

Teilbestand: 145493

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 12A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF11S60

Teilbestand: 70640

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 399 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW11S60

Teilbestand: 70723

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 399 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6420

Teilbestand: 186820

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 10V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW7S65

Teilbestand: 72729

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4425

Teilbestand: 163502

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 38V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 14A, 20V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6230

Teilbestand: 85106

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 57.5A (Ta), 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.44 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3418

Teilbestand: 178973

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW7S60

Teilbestand: 82228

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB1404L

Teilbestand: 82544

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), 220A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4480

Teilbestand: 116147

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.5 mOhm @ 14A, 10V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF7S60

Teilbestand: 86850

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6240

Teilbestand: 91321

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Ta), 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 mOhm @ 20A, 10V,

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