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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

BUK7E13-60E,127
Nexperia USA Inc.

BUK7E13-60E,127

Teilbestand: 75551

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 58A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia USA Inc.

BUK7E3R1-40E,127

Teilbestand: 35084

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7E2R3-40E,127
Nexperia USA Inc.

BUK7E2R3-40E,127

Teilbestand: 28687

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7E5R2-100E,127
Nexperia USA Inc.

BUK7E5R2-100E,127

Teilbestand: 21980

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK664R6-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK664R6-40C,118

Teilbestand: 51992

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7675-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7675-55A,118

Teilbestand: 172950

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9640-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9640-100A,118

Teilbestand: 111424

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK965R4-40E,118
Nexperia USA Inc.

BUK965R4-40E,118

Teilbestand: 102308

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK662R5-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK662R5-30C,118

Teilbestand: 47244

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BFL4026-1E
ON Semiconductor

BFL4026-1E

Teilbestand: 34306

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Wunschzettel.
BMS3004-1E
ON Semiconductor

BMS3004-1E

Teilbestand: 19168

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 68A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 34A, 10V,

Wunschzettel.
BBL4001-1E
ON Semiconductor

BBL4001-1E

Teilbestand: 25429

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 74A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.1 mOhm @ 37A, 10V,

Wunschzettel.
BMS3003-1E
ON Semiconductor

BMS3003-1E

Teilbestand: 19146

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 78A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

Wunschzettel.
BTS282ZE3230AKSA2
Infineon Technologies

BTS282ZE3230AKSA2

Teilbestand: 15360

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 49V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Wunschzettel.
BUZ30AHXKSA1
Infineon Technologies

BUZ30AHXKSA1

Teilbestand: 3711

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 13.5A, 10V,

Wunschzettel.
BSP318SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP318SH6327XTSA1

Teilbestand: 166907

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 10V,

Wunschzettel.
BUZ31 H3045A
Infineon Technologies

BUZ31 H3045A

Teilbestand: 75142

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 10V,

Wunschzettel.
BSP171PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP171PH6327XTSA1

Teilbestand: 110081

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Wunschzettel.
BSP129H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP129H6327XTSA1

Teilbestand: 151280

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS606NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS606NH6327XTSA1

Teilbestand: 140760

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.2A, 10V,

Wunschzettel.
BTS282ZE3180AATMA2
Infineon Technologies

BTS282ZE3180AATMA2

Teilbestand: 30675

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 49V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Wunschzettel.
BSP149H6906XTSA1
Infineon Technologies

BSP149H6906XTSA1

Teilbestand: 132013

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 660mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Wunschzettel.
BUK7Y25-80E/GFX
NXP USA Inc.

BUK7Y25-80E/GFX

Teilbestand: 2567

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7Y25-80E/CX
NXP USA Inc.

BUK7Y25-80E/CX

Teilbestand: 2511

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7Y25-60E/GFX
NXP USA Inc.

BUK7Y25-60E/GFX

Teilbestand: 2552

Wunschzettel.
BUK761R7-40E/GFJ
NXP USA Inc.

BUK761R7-40E/GFJ

Teilbestand: 2563

Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V,

Wunschzettel.
BUK761R5-40EJ
NXP USA Inc.

BUK761R5-40EJ

Teilbestand: 2572

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.51 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9C1R3-40EJ
NXP USA Inc.

BUK9C1R3-40EJ

Teilbestand: 57

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.3 mOhm @ 90A, 5V,

Wunschzettel.
BUK951R8-40EQ
NXP USA Inc.

BUK951R8-40EQ

Teilbestand: 2593

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V,

Wunschzettel.
BUK9C5R3-100EJ
NXP USA Inc.

BUK9C5R3-100EJ

Teilbestand: 2508

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V,

Wunschzettel.
BUK9C3R8-80EJ
NXP USA Inc.

BUK9C3R8-80EJ

Teilbestand: 2594

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V,

Wunschzettel.
BUK9C2R2-60EJ
NXP USA Inc.

BUK9C2R2-60EJ

Teilbestand: 2531

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V,

Wunschzettel.
BUK7C4R5-100EJ
NXP USA Inc.

BUK7C4R5-100EJ

Teilbestand: 2529

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V,

Wunschzettel.
BUK7C5R4-100EJ
NXP USA Inc.

BUK7C5R4-100EJ

Teilbestand: 2551

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V,

Wunschzettel.
BUK7C3R1-80EJ
NXP USA Inc.

BUK7C3R1-80EJ

Teilbestand: 2547

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V,

Wunschzettel.
BUK7C3R8-80EJ
NXP USA Inc.

BUK7C3R8-80EJ

Teilbestand: 2556

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V,

Wunschzettel.