Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

BUK653R5-55C,127

BUK653R5-55C,127

Teilbestand: 6308

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK653R2-55C,127

BUK653R2-55C,127

Teilbestand: 2570

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK653R4-40C,127

BUK653R4-40C,127

Teilbestand: 2554

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK6510-75C,127

BUK6510-75C,127

Teilbestand: 2551

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 77A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.4 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK6507-55C,127

BUK6507-55C,127

Teilbestand: 2513

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9222-55A/C1,118

BUK9222-55A/C1,118

Teilbestand: 2554

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.

BUK7210-55B/C1,118

BUK7210-55B/C1,118

Teilbestand: 2539

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.

BUK9237-55A/C1,118

BUK9237-55A/C1,118

Teilbestand: 2513

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

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BUK9240-100A/C1,11

BUK9240-100A/C1,11

Teilbestand: 2553

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK7628-100A/C,118

BUK7628-100A/C,118

Teilbestand: 2564

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 47A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9535-55,127

Teilbestand: 2489

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V,

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BUK7524-55,127

Teilbestand: 2502

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK7213-40A,118

BUK7213-40A,118

Teilbestand: 2477

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 55A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9213-30A,118

BUK9213-30A,118

Teilbestand: 2509

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 55A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK7E4R3-75C,127

BUK7E4R3-75C,127

Teilbestand: 2562

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK753R4-30B,127

BUK753R4-30B,127

Teilbestand: 2515

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK7226-75A/C1,118

BUK7226-75A/C1,118

Teilbestand: 2478

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9E4R4-40B,127

BUK9E4R4-40B,127

Teilbestand: 2525

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK96150-55A,118

BUK96150-55A,118

Teilbestand: 2469

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 137 mOhm @ 13A, 10V,

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BUK9907-55ATE,127

BUK9907-55ATE,127

Teilbestand: 2500

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V,

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BUK9516-75B,127

BUK9516-75B,127

Teilbestand: 2461

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 67A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.

BUK9528-55A,127

BUK9528-55A,127

Teilbestand: 2498

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 5V,

Wunschzettel.

BUK9516-55A,127

BUK9516-55A,127

Teilbestand: 2549

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 66A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.

BUK9509-55A,127

BUK9509-55A,127

Teilbestand: 2464

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.

BUK7L06-34ARC,127

BUK7L06-34ARC,127

Teilbestand: 2515

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 34V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel.

BUK7L11-34ARC,127

BUK7L11-34ARC,127

Teilbestand: 2474

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 34V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel.

BUK7E2R7-30B,127

BUK7E2R7-30B,127

Teilbestand: 6250

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.

BUK7E11-55B,127

BUK7E11-55B,127

Teilbestand: 2540

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.

BUK7628-55A,118

BUK7628-55A,118

Teilbestand: 2516

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 42A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.

BUK7624-55A,118

BUK7624-55A,118

Teilbestand: 2466

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 47A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK754R3-40B,127

BUK754R3-40B,127

Teilbestand: 2488

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.

BUK752R7-30B,127

BUK752R7-30B,127

Teilbestand: 2528

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.

BUK7524-55A,127

BUK7524-55A,127

Teilbestand: 2519

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 47A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK7523-75A,127

BUK7523-75A,127

Teilbestand: 2500

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 53A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK75150-55A,127

BUK75150-55A,127

Teilbestand: 2535

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK9635-55,118

Teilbestand: 2435

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V,

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