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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

BUK7C1R8-60EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R8-60EJ

Teilbestand: 6258

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V,

Wunschzettel.
BUK7C1R4-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R4-40EJ

Teilbestand: 2529

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V,

Wunschzettel.
BUK7C1R2-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R2-40EJ

Teilbestand: 2518

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V,

Wunschzettel.
BUK9Y9R9-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y9R9-80E,115

Teilbestand: 2547

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V,

Wunschzettel.
BUK9Y98-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y98-80E,115

Teilbestand: 2588

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V,

Wunschzettel.
BUK9Y7R8-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y7R8-80E,115

Teilbestand: 2582

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V,

Wunschzettel.
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R8-40E,127

Teilbestand: 2573

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E8R5-40E,127

Teilbestand: 6339

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9E6R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK9E6R1-100E,127

Teilbestand: 2510

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R9-60E,127

Teilbestand: 2556

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R4-80E,127

Teilbestand: 2545

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R7-60E,127

Teilbestand: 2588

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R8-60E,127

Teilbestand: 2547

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R2-40E,127

Teilbestand: 2570

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R9-40E,127

Teilbestand: 2502

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V,

Wunschzettel.
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R3-40E,127

Teilbestand: 2570

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R6-30E,127

Teilbestand: 2576

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E15-60E,127

Teilbestand: 2588

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 54A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel.
BUK956R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK956R1-100E,127

Teilbestand: 6333

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK958R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK958R5-40E,127

Teilbestand: 2510

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
BUK954R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK954R4-80E,127

Teilbestand: 2512

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK952R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK952R8-60E,127

Teilbestand: 2572

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK952R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK952R3-40E,127

Teilbestand: 6262

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK951R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK951R9-40E,127

Teilbestand: 2587

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK951R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK951R6-30E,127

Teilbestand: 6281

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7E4R0-80E,127
NXP USA Inc.

BUK7E4R0-80E,127

Teilbestand: 2546

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9515-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9515-60E,127

Teilbestand: 2529

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 54A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK7E1R6-30E,127

Teilbestand: 6300

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK753R5-60E,127
NXP USA Inc.

BUK753R5-60E,127

Teilbestand: 2561

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK751R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK751R6-30E,127

Teilbestand: 6316

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7Y08-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y08-40B/C,115

Teilbestand: 2544

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7Y25-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y25-40B/C,115

Teilbestand: 2544

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
BUK655R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK655R0-75C,127

Teilbestand: 2509

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK654R6-55C,127
NXP USA Inc.

BUK654R6-55C,127

Teilbestand: 2550

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK653R7-30C,127
NXP USA Inc.

BUK653R7-30C,127

Teilbestand: 2483

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK654R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK654R0-75C,127

Teilbestand: 2520

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.