Transistoren - JFETs

MX2N4860

Teilbestand: 3473

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA,

MV2N4861

Teilbestand: 3498

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MX2N5114

Teilbestand: 3508

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA,

MX2N4857UB

Teilbestand: 3427

MX2N4391UB

Teilbestand: 3417

MV2N4856UB

Teilbestand: 3496

MX2N4861

Teilbestand: 3419

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MMBFJ177LT1G

Teilbestand: 116535

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

MMBF4392

Teilbestand: 111115

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

TIS75_D26Z

Teilbestand: 3440

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 4nA,

J270_D26Z

Teilbestand: 3434

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

TF408-3-TL-H

Teilbestand: 3425

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA,

MMBF5460LT1G

Teilbestand: 3415

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA,

MMBF4393LT1

Teilbestand: 3356

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

NSVJ3557SA3T1G

Teilbestand: 121574

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 15V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA,

TF256TH-5-TL-H

Teilbestand: 3408

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 240µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA,

J201

Teilbestand: 3365

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

J271

Teilbestand: 3411

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 1nA,

P1086_D74Z

Teilbestand: 3350

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA,

PN5432_D27Z

Teilbestand: 3415

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA,

J175_D74Z

Teilbestand: 3350

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

J270

Teilbestand: 3388

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

PN4117A_D26Z

Teilbestand: 3388

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA,

J111-D74Z

Teilbestand: 313

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

NSVJ2394SA3T1G

Teilbestand: 148349

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 15V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 700mV @ 100µA,

MPF4392G

Teilbestand: 3440

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

J112-D74Z

Teilbestand: 308

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

J3A040YXS/T0BY4571

Teilbestand: 3424

J111,126

Teilbestand: 3411

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA,

PMBF4393,215

Teilbestand: 121138

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

DSK5J01Q0L

Teilbestand: 130446

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 30mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10µA,

CP210-2N4416-CT

Teilbestand: 126

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA,

PN4391 TRE

Teilbestand: 196136

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,

CMPF4416A TR

Teilbestand: 122530

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA,

SST174-T1-E3

Teilbestand: 3480

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

SST5485-T1-E3

Teilbestand: 3461

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,