Transistoren - JFETs

FJN598JCBU

Teilbestand: 3390

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

J174_D27Z

Teilbestand: 3440

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

EC3A03B-TL-H

Teilbestand: 3447

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 20V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 1µA,

KSK596PCWD

Teilbestand: 3392

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

MMBF5458

Teilbestand: 132490

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,

MMBF4119

Teilbestand: 167525

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

TIS74_J35Z

Teilbestand: 3399

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 4nA,

MMBFJ110

Teilbestand: 111642

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 10nA,

KSK596PAWD

Teilbestand: 3450

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

SMMBFJ177LT1G

Teilbestand: 137307

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

J112RL1G

Teilbestand: 3406

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

MMBFJ203

Teilbestand: 3434

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

J174

Teilbestand: 3498

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

J175-D26Z

Teilbestand: 16216

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

CPH6904-TL-E

Teilbestand: 196046

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA,

TF408-3-TL-HX

Teilbestand: 3414

J109-D26Z

Teilbestand: 233

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

NSVJ6904DSB6T1G

Teilbestand: 9922

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA,

J113-D74Z

Teilbestand: 34497

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA,

J177_D27Z

Teilbestand: 3382

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

MMBF5457LT1

Teilbestand: 3346

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

MMBF4392LT1G

Teilbestand: 129965

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

KSK595HMTF

Teilbestand: 3430

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

PN4092_D74Z

Teilbestand: 3377

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

MV2N4857

Teilbestand: 3425

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA,

MX2N4392UB

Teilbestand: 3411

MX2N4393

Teilbestand: 3465

JANTX2N4416AUB

Teilbestand: 561

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA,

MV2N4860UB

Teilbestand: 3437

MV2N4391

Teilbestand: 3459

U291-E3

Teilbestand: 3446

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 3nA,

U440

Teilbestand: 3408

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

IJW120R100T1FKSA1

Teilbestand: 3424

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5µA @ 1200V, Stromaufnahme (Id) - Max: 26A,

PMBFJ108,215

Teilbestand: 176025

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA,

J2A080GX0/T0BG295,

Teilbestand: 3424

J176,126

Teilbestand: 3498

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,