Transistoren - JFETs

J3A080YXS/T0BY4AG0

Teilbestand: 3511

J175,116

Teilbestand: 3507

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

J3A012YXS/T0BY4551

Teilbestand: 3486

J174,126

Teilbestand: 3496

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

MMBF5484LT1G

Teilbestand: 3371

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

J110RLRAG

Teilbestand: 3370

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA,

J177

Teilbestand: 3368

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

J110_D75Z

Teilbestand: 3418

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

PN4302

Teilbestand: 3352

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,

J112

Teilbestand: 143677

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

J108_D27Z

Teilbestand: 3357

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

PN4119

Teilbestand: 3372

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

PN4091

Teilbestand: 3358

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 1nA,

FJN598JBBU

Teilbestand: 3487

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

TF262TH-4-TL-H

Teilbestand: 3436

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA,

PN4118

Teilbestand: 3353

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

PN4117A_J61Z

Teilbestand: 3442

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA,

MMBFJ177LT1

Teilbestand: 3506

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

TF202THC-3-TL-H

Teilbestand: 3405

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA,

MMBFJ175

Teilbestand: 118669

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

MMBF4393

Teilbestand: 133700

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

TF414T5G

Teilbestand: 139739

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1µA,

PN4393_D26Z

Teilbestand: 3434

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

MMBF5103

Teilbestand: 120554

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.2V @ 1nA,

MMBFU310LT1G

Teilbestand: 155085

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA,

PN5432

Teilbestand: 3377

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA,

J175

Teilbestand: 3377

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

MMBF4092

Teilbestand: 199131

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

J105

Teilbestand: 96371

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4.5V @ 1µA,

SST5484-E3

Teilbestand: 3467

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

SST174-E3

Teilbestand: 3491

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

SST4118-T1-E3

Teilbestand: 3419

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

U290

Teilbestand: 3416

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA,

J203-18

Teilbestand: 3414

CP206-2N4393-CT

Teilbestand: 72

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

MX2N4858UB

Teilbestand: 3421