Transistoren - JFETs

J176-D74Z

Teilbestand: 13203

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,

J176_D27Z

Teilbestand: 3352

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,

TF256TH-4-TL-H

Teilbestand: 3468

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA,

J111RL1G

Teilbestand: 3416

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

P1087_J18Z

Teilbestand: 3448

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA,

FJN598JATA

Teilbestand: 3490

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

J202

Teilbestand: 3418

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

J201_D74Z

Teilbestand: 3407

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

MMBFJ175LT1G

Teilbestand: 135212

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

MMBFJ175LT1

Teilbestand: 3381

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

MMBF4117

Teilbestand: 122052

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA,

SMMBF4391LT1G

Teilbestand: 3375

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 10nA,

TF252TH-5-TL-H

Teilbestand: 3414

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA,

MMBF5484LT1

Teilbestand: 3379

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

FJZ594JCTF

Teilbestand: 3391

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

PN4303_D26Z

Teilbestand: 3418

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA,

MMBFJ270

Teilbestand: 114705

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

KSK30RBU

Teilbestand: 3409

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 50V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA,

MMBF4091

Teilbestand: 111162

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 1nA,

MPF4392

Teilbestand: 3400

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

J113_D27Z

Teilbestand: 3355

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA,

TF262TH-5-TL-H

Teilbestand: 3528

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA,

J202_D26Z

Teilbestand: 3486

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

CPH3910-TL-E

Teilbestand: 143306

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 100µA,

FJX597JCTF

Teilbestand: 3407

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

TIS74

Teilbestand: 3394

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 4nA,

J111-D26Z

Teilbestand: 13212

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

J109_D75Z

Teilbestand: 3377

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

P108718

Teilbestand: 3505

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA,

MV2N4391UB

Teilbestand: 3478

MV2N4859

Teilbestand: 3465

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA,

PMBFJ310,215

Teilbestand: 3357

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA,

PMBFJ620,115

Teilbestand: 3371

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA,

J112,126

Teilbestand: 3333

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

CMPF5485 TR

Teilbestand: 165110

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Stromaufnahme (Id) - Max: 30mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

CMPF4391 TR

Teilbestand: 152395

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,